[发明专利]一种晶体管及包括其的显示面板

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种晶体管及包含其的显示面板，特别是涉及一种应用于液晶显示装置的晶体管。

【背景技术】

近年来，包括液晶显示技术在内的平板显示技术得到了长足的发展。图1绘示一个液晶显示面板的一个基板的俯视示意图，其包括基板121和设置在基板121上的多条数据线121和多条扫描线131。数据线121和扫描线131互相垂直，两条相邻的数据线121和相邻的扫描线131区隔出一个显示像素。图2是图1中显示面板的一个显示像素的原理图。如图2所示，显示像素包括晶体管160和像素电极151。晶体管160包括栅极122、源极132和漏极133。栅极122连接至一条扫描线121，源极132连接至一条数据线131，漏极133连接至像素电极151。

液晶显示面板的基板一般采用玻璃材料。在某些种类的玻璃中包含相对较多的碱金属离子，例如钠离子等。就现有技术的晶体管结构来说，这些碱金属离子容易扩散至晶体管的半导体层中，从而会导致晶体管的特性曲线出现飘移，使显示效果受到影响。因此亟需开发出一种能够不容易被外部离子扩散进半导体层的晶体管，以改善显示面板的品质。

【发明内容】

本发明的一个目的是提供一种晶体管，其包括：基板；设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。

作为可选的技术方案，上述的晶体管包括：覆盖所述半导体区块的第二阻抗层；对应所述半导体区块设置在所述第二阻抗层上的金属区块；围绕所述半导体区块边缘设置的第二金属挡墙，所述第二金属挡墙穿过所述第二阻抗层连接所述金属区块。

作为可选的技术方案，上述第一金属挡墙与所述第二金属挡墙相互衔接。

作为可选的技术方案，上述基板为玻璃基板。

作为可选的技术方案，上述半导体区块为参杂非晶硅区块。

本发明的另一个目的是提供一种显示面板，其包括：基板；至少一条数据线；至少一条扫描线；至少一个像素电极；至少一个晶体管。所述晶体管包括：设置在所述基板上的第一金属电极；覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层；对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块；设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极；围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙，所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极；所述第一金属挡墙具有缺口，所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块；所述第一金属电极连接所述扫描线；所述第二金属电极连接所述数据线；所述第三金属电极连接所述像素电极。

作为可选的技术方案，上述的显示面板包括：

覆盖所述半导体区块的第二阻抗层；

对应所述半导体区块设置在所述第二阻抗层上的金属区块；

围绕所述半导体区块边缘设置的第二金属挡墙，所述第二金属挡墙穿过所述第二阻抗层连接所述金属区块。

作为可选的技术方案，上述第一金属挡墙与所述第二金属挡墙相互衔接。

作为可选的技术方案，上述基板为玻璃基板。

作为可选的技术方案，上述半导体区块为参杂非晶硅区块。

与现有技术相比，本发明的好处在于晶体管结构中的第一金属电极及第一金属挡墙对半导体区块形成了一个屏蔽壳，大大降低了碱金属离子扩散进半导体区块的机会。

【附图说明】

图1绘示一个液晶显示面板的一个基板的俯视示意图；

图2是图1中显示面板的一个显示像素的原理图；

图3、图5、图8及图12绘示本发明第一种实施方式的显示面板的像素在制造过程中的不同阶段的俯视示意图；

图4绘示图3中像素沿AA线的正视剖面图；

图6绘示图5中像素沿BB线的正视剖面图；

图7绘示图5中像素沿CC线的正视剖面图；

图9绘示图8中像素沿DD线的正视剖面图；

图10绘示图8中像素沿EE线的正视剖面图；

图11绘示本发明另一种实施方式的像素的正视剖面图；

图13绘示图12中像素沿FF线的正视剖面图。

【具体实施方式】