[发明专利]PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件

权利要求书

1.一种PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含：

一个PMOS晶体管，其包括栅极、源极、漏极与源漏极间的信道区，该源极、漏极及信道区位于一基体内，且在该漏极与该信道区间形成寄生二极管；以及

一个与该寄生二极管反向串联的肖特基二极管，该肖特基二极管位于该基体内，其一端与该寄生二极管连接，另一端与该源极连接。

2.如权利要求1所述的PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该肖特基二极管包括与该信道区相同传导型态而无欧姆接触的一部份井区。

3.如权利要求1所述的PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该肖特基二极管还包含与该信道区不同传导型态的掺杂区。

4.一种PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含：

基体；

位于该基体上的导体层，构成该PMOS晶体管的栅极；

位于该基体内的N型第一井区，其一部分构成该PMOS晶体管的信道区；

位于该第一井区内的第一P型掺杂区，构成该PMOS晶体管的漏极，其中该漏极与该信道区间形成寄生二极管；

位于该第一井区内的第二P型掺杂区，构成该PMOS晶体管的源极；以及

由该第一井区的另一部分所构成的肖特基二极管，与该寄生二极管反向串联，在第一井区的该另一部分内不具有N型的欧姆接触。

5.如权利要求4所述的PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，在第一井区的该另一部分内还包含第三P型掺杂区。

6.一种PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含：

一个P型基体，构成该PMOS晶体管的漏极；

位于该基体内的两个填入的导体，构成该PMOS晶体管的栅极；

位于该两导体间的N型井区，其一部分构成该PMOS晶体管的信道区，其中在该漏极与该信道区间形成寄生二极管；

位于该N型井区上方的P型掺杂区，构成该PMOS晶体管的源极；以及

由该第一井区的另一部分所构成的肖特基二极管，与该寄生二极管反向串联，在第一井区的该另一部分内不具有N型的欧姆接触。

7.如权利要求6所述的PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，在该N型井区上方设有至少两个P型掺杂区。

8.如权利要求6所述的PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该基体包含较高浓度的本体与位于本体上方的较低浓度的磊晶生长区。