[发明专利]接面晶体管与肖特基二极管的整合元件

权利要求书

1.一种接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含一个耗乏型接面晶体管，其包括源极、漏极与栅极，该漏极未设置欧姆接触而构成肖特基二极管。

2.如权利要求1所述的接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该耗乏型接面晶体管为NMOS。

3.一种接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含：

一个第一传导型态的基体；

位于该基体内的具有第二传导型态的第一井区；

位于该第一井区内的具有第一传导型态的第二井区；

位于该第一井区内的具有第二传导型态的第一高浓度掺杂区；以及

位于该第二井区内的具有第一传导型态的第二高浓度掺杂区，

其中该基体、第一井区、第二井区构成耗乏型接面晶体管，该第一高浓度掺杂区作为该耗乏型接面晶体管源极的欧姆接触，该第二高浓度掺杂区作为该耗乏型接面晶体管栅极的欧姆接触，且该耗乏型接面晶体管的漏极不具有第一传导型态的欧姆接触，以构成肖特基二极管。

4.如权利要求3所述的接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，在该第一井区内肖特基二极管位置处还包含至少一个第一传导型态的第三掺杂区。

5.如权利要求3所述的接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该第一传导型态为P型而第二传导型态为N型。

6.一种接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含：

一个第一传导型态的基体；以及

位于该基体内的具有第二传导型态的两个第一井区，

其中该基体与该两个第一井区构成垂直型耗乏型接面晶体管，该基体正面作为该耗乏型接面晶体管的漏极，该基体背面作为该耗乏型接面晶体管的源极，该两个第一井区作为该耗乏型接面晶体管的栅极，且该耗乏型接面晶体管的漏极不具有第一传导型态的欧姆接触，以构成肖特基二极管。

7.如权利要求6所述的接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，在该第一井区内肖特基二极管位置处还包含至少一个第二传导型态的掺杂区。

8.如权利要求6所述的接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该基体包含较高浓度的本体与位于本体上方的较低浓度的磊晶生长区。

9.如权利要求6所述的接面晶体管与肖特基二极管的整合元件，其中，该第一传导型态为N型而第二传导型态为P型。