[发明专利]单个晶片的干燥装置和干燥方法

权利要求书

1.一种用于处理晶片的组件，该组件至少包含一处理部分，该处理部分包含：

一负载端口，晶片经过负载端口而降低进入该处理部分；

一卸载端口，自该负载端口而水平移位设置，使得该晶片可以在该卸载端口处被举高而离开该处理部分；以及

一可转动晶片的支持器，用于转动输入晶片由垂直的第一定向转到与该第一定向成倾斜状态的第二定向，当该晶片具有该第一定向时，是与该负载端口对齐，当该晶片具有该第二定向时，是与该卸载端口对齐。

2.如权利要求1所述的组件，其特征在于所述可转动晶片的支持器使得该第一定向于第一方向倾斜，而且远离该卸载端口，并使得该第二定向于第二方向倾斜，而且是朝向该卸载端口。

3.如权利要求1所述的组件，其特征在于所述的处理部分还包含一相邻于该卸载端口的倾斜的后壁。

4.如权利要求2所述的组件，其特征在于所述的处理部分还包含一相邻于该负载端口的倾斜的前壁，以及相邻于该卸载端口的倾斜的后壁。

5.一种用于处理晶片的组件，该组件至少包含处理部分，该处理部分包含：

一负载端口，晶片经过负载端口而降低进入该处理部分；

一卸载端口，自该负载端口而水平移位设置，使得该晶片可以在该卸载端口处被举高而离开该处理部分；其中，该晶片具有垂直的第一定向和与该第一定向成倾斜状态的第二定向，当该晶片具有该第一定向时，与该负载端口对齐，当该晶片具有该第二定向时，与该卸载端口对齐；

一外部溢流堰，其是位于沿着该处理部分外部表面的位置上；以及

一分离壁，其是位于该负载端口和该卸载端口之间，以将该处理部分的上端区域分隔成第一区域以及第二区域，并且制止表面流体在该第一区域和该第二区域之间的流动。

6.如权利要求5所述的组件，其特征在于所述的分离壁至少包含一内部溢流堰，该内部溢流堰用于接收由至少该第一区域以及该第二区域的其中一个所流出的溢流流体。

7.如权利要求5所述的组件，其特征在于所述的分离壁至少包含一内部溢流堰，该内部溢流堰用于接收由该第一区域以及该第二区域所流出的溢流流体。

8.一种用于处理晶片的组件，其至少包含：

一处理部分，该处理部分包含：

一负载端口，晶片经过负载端口而降低进入该处理部分，其中，该晶片处于垂直的第一定向，并与该负载端口对齐；以及

一喷洒机构，该喷洒机构可于处理期间没入处理部分的流体中，且其所在位置使得当晶片下降经过该负载端口，可喷洒流体到该晶片在水面下部分的表面。

9.如权利要求8所述的组件，其特征在于还包含一处理期间位于处理部分中流体位准以上的一喷洒机构，且其所在位置使得当晶片下降经过该负载端口，可喷洒流体到该晶片位于水面上的晶片表面。

10.如权利要求8所述的组件，其特征在于还包含：

一卸载端口，自该负载端口而水平移位设置，使得该晶片可以在该卸载端口处被举高而离开该处理部分，其中，处于垂直的第一定向的该晶片具有与该第一定向成倾斜状态的第二定向，当该晶片具有该第二定向时，与该卸载端口对齐；以及

一分离壁，其位于负载端口和卸载端口之间，以将该处理部分的上端区域分隔成相邻于该负载端口的第一区域，以及相邻于该卸载端口的第二区域，并且该分离壁可制止表面流体由该第一区域流动到该第二区域。

11.如权利要求10所述的组件，其特征在于所述的第二区域至少包含一喷洒机构，该喷洒机构是用于当一晶片在该卸载端口处被举高而离开该处理部分时，对该晶片喷洒以干燥气体。

12.如权利要求11所述的组件，其特征在于还包含一气流变流装置，该气流变流装置是耦合到该干燥气体喷洒机构上，并且是被用来限制该处理部分中暴露于该干燥气体下的流体的体积。