[发明专利]薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 200910128138.9 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101540342A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;黑川义元;乡户宏充;宫入秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的n型第一微晶半导体层及n型第二微晶半导体层；
在所述n型第一微晶半导体层、所述n型第二微晶半导体层以及所述栅极绝 缘层上的包括沟道形成区域的i型第三微晶半导体层，其中所述沟道形成区域位 于所述n型第一微晶半导体层和所述n型第二微晶半导体层之间；以及
在所述i型第三微晶半导体层上的i型非晶半导体层，
其中，所述栅极绝缘层包括与所述沟道形成区域接触并重叠于所述i型非晶 半导体层的凹部区域，
其中，所述栅极绝缘层在重叠于所述n型第一微晶半导体层和所述n型第二 微晶半导体层的区域中的厚度比在所述凹部区域中的厚度大。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述栅极绝缘层和所述n型第一微晶半导体层或所述n型第二微晶半导体 层之间的界面高度，与所述i型第三微晶半导体层和所述i型非晶半导体层之间 的界面高度相同或实质上相同。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
在所述i型第三微晶半导体层上的第四微晶半导体层，该第四微晶半导体层 包含成为施主的杂质元素，
其中，所述i型非晶半导体层在所述第四微晶半导体层上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
在所述n型第一微晶半导体层上的第一缓冲层；以及
在所述n型第二微晶半导体层上的第二缓冲层，
其中，所述i型第三微晶半导体层覆盖所述第一缓冲层和所述第二缓冲层，
其中，所述第一缓冲层是非晶半导体层，并且，
所述第二缓冲层是非晶半导体层。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
在所述n型第一微晶半导体层上的第一缓冲层；以及
在所述n型第二微晶半导体层上的第二缓冲层，
其中，所述i型第三微晶半导体层覆盖所述第一缓冲层和所述第二缓冲层，
其中，所述第一缓冲层包括非晶半导体层和在所述非晶半导体层上的绝缘 层，并且，
所述第二缓冲层包括非晶半导体层和在所述非晶半导体层上的绝缘层。
6.一种显示装置，其特征在于，
在像素部的各像素中包括如权利要求1所述的薄膜晶体管。
7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的n型第一微晶半导体层及n型第二微晶半导体层；
在所述n型第一微晶半导体层、所述n型第二微晶半导体层以及所述栅极绝 缘层上的i型非晶半导体层，该i型非晶半导体层在所述n型第一微晶半导体层和 所述n型第二微晶半导体层之间与所述栅极绝缘层接触；
在所述i型非晶半导体层上且与该i型非晶半导体层接触的包括硼或磷的杂 质半导体层；以及
在所述杂质半导体层上且与该杂质半导体层接触的布线，
其中，所述栅极绝缘层包括与所述i型非晶半导体层接触的凹部区域，且其 中，所述栅极绝缘层在重叠于所述n型第一微晶半导体层和所述n型第二微晶半 导体层的区域中的厚度比在所述凹部区域中的厚度大。
8.一种显示装置，其特征在于，
在像素部的各像素中包括如权利要求6所述的薄膜晶体管。
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