[发明专利]供电检测装置与方法有效

专利信息
申请号: 200910128216.5 申请日: 2009-03-18
公开(公告)号: CN101839937A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 高永信;连南钧 申请(专利权)人: 智原科技股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 供电 检测 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种供电检测装置,且特别涉及一种具有温度豁免(temperature immunity)的供电检测装置。

背景技术

在许多电子装置和电路上,通常会加装供电检测装置,其目的为了要检测外接电源是否真正供电,例如当供电电源上升到门限值1伏特(V)时,供电检测装置应判断为开机。然而在消费性电子装置针对节能与制程的设计要求下,门限值伏特数越来越小,制程的尺寸也越来越小,此时供电检测装置的电路会受到温度的影响,在判断是否开机时会误判断。已知的供电检测装置有能隙型(bandgap type)与P/N元件加电阻(P/N device+resistance)两种。图1为已知的能隙型供电检测装置,当输入电压Vcck开始提供电压时,能隙型供电检测装置100为依据正端电压Vpos2与负端电压Vneg2的差值判断是否开机。虽然其差值受温度影响较小,惟其差值亦很小,例如13.99毫伏特(mV),于是在65奈米制程下产生的元件变异(device variation)特性,会造成供电检测装置100的误判断。

图2为已知的P/N元件加电阻供电检测装置,当输入电压Vcck开始提供电压给P/N元件加电阻供电检测装置200时,供电检测装置200为依据正端电压Vpos3与负端电压Vneg3的差值判断是否开机。正端电压Vpos3与负端电压Vneg3的差值会随着温度而改变,例如在-40℃时其差值为142.8毫伏特(mV),而在125℃时其差值为21.08毫伏特(mV),于是会造成供电检测装置200在不同温度下有很大差异的判断。

发明内容

本发明提供一种供电检测装置,用以检测输入电压并据以判断是否开机,其开机与否的判断受温度影响很低,且有良好的抗噪声功能,可以在不同温度之下具有稳定的表现,具有温度豁免的效果。

承接上述,本发明提供一种供电检测装置,包括电压检测单元,电压检测单元用以接收输入电压,并检测输入电压藉以输出第一输出电压。电压检测单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、以及比较器。其中第一晶体管耦接于输入电压,第二晶体管耦接于输入电压,第三晶体管耦接于接地端,第四晶体管耦接于接地端,第一电阻耦接于第一晶体管与第三晶体管之间,第二电阻耦接于第二晶体管与第四晶体管之间。第三电阻一端耦接输入电压,而另一端耦接于第一晶体管与第二晶体管。此外,比较器的输出端输出第一输出电压,比较器的负输入端耦接于第三晶体管与第一电阻的共同接点,比较器的正输入端耦接于第二晶体管与第二电阻的共同接点。

在本发明的一实施例中,上述第一晶体管与第二晶体管为PMOS晶体管(p-channel metal oxide semiconductor field effect transistor),第一晶体管的源极耦接于输入电压,第一晶体管的漏极耦接于第一晶体管的栅极与第一电阻,第二晶体管的源极耦接于输入电压,而第二晶体管的漏极耦接于第二晶体管的栅极与第二电阻。

在本发明的一实施例中,上述第三晶体管与第四晶体管为NMOS晶体管(n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor),第三晶体管的源极耦接于接地端,第三晶体管的漏极耦接于第三晶体管的栅极与第一电阻,第四晶体管的源极耦接于接地端,而第四晶体管的漏极耦接于第四晶体管的栅极与第二电阻。

本发明提供另一种供电检测装置,包括电压检测单元、滤波器与触发器。电压检测单元用以接收输入电压,并检测输入电压藉以输出第一输出电压,且当输入电压的电压值等于指定电压时,根据电压检测单元内的第一晶体管的第一过载电压、电压检测单元内的第二晶体管的第二过载电压、第一晶体管的第一热电压及第二晶体管的第二热电压决定指定电压。滤波器耦接于电压检测单元,用以接收第一输出电压以产生第二输出电压,且当第一输出电压上升至逻辑高电位时,关闭滤波器内的第三晶体管以使第二输出电压上升至逻辑高电位。触发器耦接于滤波器,用以接收第二输出电压并进行抗噪声处理,藉以输出第三输出电压。

在本发明的一实施例中,上述当通过第一晶体管的第一电流和通过第二晶体管的第二电流实质上相等时,指定电压根据第一过载电压、第二过载电压、第一热电压、第二热电压和正温度系数参数而得。正温度系数参数根据次临界斜率因数、临界电压及比值而得。比值根据电压检测单元内的第一电阻与电压检测单元内的第二电阻的比例而得。

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