[发明专利]一种带有源负电流调制的同步升压电路及其控制方法有效
申请号: | 200910128339.9 | 申请日: | 2009-03-28 |
公开(公告)号: | CN101561687A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·H·阮 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | G05F1/10 | 分类号: | G05F1/10 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 詹永斌;徐 宏 |
地址: | 611731四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 电流 调制 同步 升压 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种带有源负电流调制的同步升压电路,包括:
升压电路,包括上管和下管,接收输入电压,并产生大于所述输入 电压的输出电压;以及
有源负电流调制电路,检测所述上管是否流过负电流,当检测到所 述负电流时,所述有源负电流调制电路控制所述上管导通,使其工作于 线性模式,并将所述负电流限制至预设电流值。
2.如权利要求1所述的同步升压电路,其特征在于,当所述下管在 下一个开关周期中导通时,所述有源负电流调制电路停止对所述上管的 控制。
3.如权利要求1所述的同步升压电路,其特征在于,进一步包括电 感和电容,其中所述电感电耦接至所述电容和所述升压电路,接收所述 输入电压。
4.如权利要求1所述的同步升压电路,其特征在于,其中:
所述下管包括n型金属氧化物场效应晶体管;
所述上管包括与所述n型金属氧化物场效应晶体管串联的p型金属 氧化物场效应晶体管。
5.如权利要求1所述的同步升压电路,其特征在于,所述升压电路 进一步包括:
第一栅极驱动电路,驱动所述下管;以及
第二栅极驱动电路,驱动所述上管。
6.如权利要求5所述的同步升压电路,其特征在于,所述升压电路 进一步包括:
脉冲宽度调制控制电路,控制所述第一栅极驱动电路和所述第二栅 极驱动电路;以及
第一误差放大器,接收第一参考电压和来自所述输出电压的反馈电 压。
7.如权利要求5所述的同步升压电路,其特征在于,当检测到所述 负电流时,所述有源负电流调制电路控制所述第二栅极驱动电路,使其 进入输出高阻态。
8.如权利要求5所述的同步升压电路,其特征在于,所述有源负电 流调制电路包括:
比较器,电耦接至所述上管,检测所述负电流;以及
电流镜电路,电耦接至所述比较器和所述升压电路,限制所述负电 流至所述预设电流值。
9.如权利要求8所述的同步升压电路,其特征在于,所述电流镜电 路包括电耦接至所述上管的p型金属氧化物场效应晶体管,所述p型金属 氧化物场效应晶体管和所述上管构成电流镜。
10.如权利要求9所述的同步升压电路,其特征在于,所述比较器 包括同相输入端、反相输入端和输出端,其中所述同相输入端电耦接至 所述上管的源极,所述反相输入端电耦接至所述上管的漏极。
11.如权利要求10所述的同步升压电路,其特征在于,所述电流镜 电路进一步包括:
第二误差放大器,电耦接至所述上管;
第三误差放大器,电耦接至第二参考电压和所述上管;以及
RS触发器,电耦接至所述第一栅极驱动电路、所述比较器和所述 第三误差放大器。
12.如权利要求11所述的同步升压电路,其特征在于,所述电流镜 电路进一步包括:
pnp双极结型晶体管,电耦接至所述第二误差放大器和所述p型金 属氧化物场效应晶体管;
电阻,电耦接至所述pnp双极结型晶体管和电气地。
13.如权利要求9所述的同步升压电路,其中在集成电路中所述p 型金属氧化物场效应晶体管的尺寸被制作为小于所述上管。
14.一种带有源负电流调制的同步升压电路的控制方法,其中所述 同步升压电路包括上管和下管,所述方法包括:
调制输入电压;
检测流过所述上管的电流是否为负电流;
若检测到所述负电流,控制所述上管导通,使其工作于线性模式;
以及限制所述负电流为预设电流值。
15.如权利要求14所述的控制方法,其特征在于,进一步包括检测 来自所述同步升压电路输出电压的反馈电压。
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