[发明专利]薄膜晶体管基板及具有薄膜晶体管基板的显示装置有效
申请号: | 200910128588.8 | 申请日: | 2009-03-17 |
公开(公告)号: | CN101540333A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 罗惠锡;李元熙;权镐均;罗炳善;安顺一;权知炫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/528;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 具有 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
多个栅极线和与所述栅极线交叉的多个第一数据线和第二数据线;
多个第一像素电极和第二像素电极,分别设置在由所述栅极线与所述第 一数据线和所述第二数据线定义的多个单元像素区域中;
第一薄膜晶体管,设置在单元像素区域中,并且包括连接到栅极线的第 一栅极电极、连接到第一数据线的第一源极电极和连接到第一像素电极和第 二像素电极中的任一个的第一漏极电极;以及
第二薄膜晶体管,设置在所述单元像素区域中,并且包括连接到所述栅 极线的第二栅极电极、连接到第二数据线的第二源极电极以及连接到所述第 一像素电极和所述第二像素电极中的另一个的第二漏极电极,
其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极延伸到像素区域并弯曲多 次使得所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的分别邻近所述第一数据线 和所述第二数据线的长度被最小化,所述第一漏极电极和所述第二漏极电极 设置为保持所述第一漏极电极和所述第一数据线之间的第一耦合电容与所 述第二漏极电极和所述第二数据线之间的第二耦合电容的差值在所述第一 耦合电容和所述第二耦合电容的最大值的50%或者更小的范围内,从而减小 相邻像素之间的亮度差。
2.如权利要求1所述的基板,其中所述第一耦合电容和所述第二耦合 电容之差为所述第一耦合电容和所述第二耦合电容的最大值的5%至40%。
3.如权利要求1所述的基板,其中所述第一漏极电极和所述第二漏极 电极被垂直弯曲。
4.如权利要求3所述的基板,其中所述第一漏极电极和所述第二漏极 电极的端部区域分别与所述第一源极电极和所述第二源极电极分隔,并且所 述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个的所述端部区域与所述第一源 极电极或者第二源极电极之间的距离等于从所述第一漏极电极和第二漏极 电极的每个的所述端部区域的末端延伸的区域与所述第一源极电极或者所 述第二源极电极之间的距离,所述第一漏极电极或者所述第二漏极电极在所 述端部区域的所述末端被弯曲并延伸。
5.如权利要求3所述的基板,其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电 极的每个具有由第二部分和设置在所述第一漏极电极和所述第二漏极电极 的每个的末端的第一部分构成的弯曲部分,所述弯曲部分围绕所述第一源极 电极或者所述第二源极电极并且与所述第一源极电极或者所述第二源极电 极分隔,所述第一部分与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距 离等于所述第二部分与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距 离。
6.如权利要求4或5所述的基板,其中在所述单元像素区域的中心, 弯曲的所述第一漏极电极和第二漏极电极的各区域彼此分隔以上所述距离。
7.如权利要求4或5所述的基板,其中所述距离是足以防止所述第一 源极电极和所述第二源极电极的每个与所述第一漏极电极或者所述第二漏 极电极之间短路的线间间隙,并且所述线间间隙为4μm至10μm。
8.如权利要求1所述的基板,其中所述第一漏极电极包括设置在所述 第一栅极电极上方并且与所述第一源极电极相邻的第一电极部分、连接到所 述第一像素电极和所述第二像素电极之一的第一接触板以及将所述第一电 极部分连接到所述第一接触板的第一连接线,
所述第二漏极电极包括设置在所述第二栅极电极上方并且与所述第二 源极电极相邻的第二电极部分、连接到所述第一像素电极和所述第二像素电 极中的另一个的第二接触板以及将所述第二电极部分连接到所述第二接触 板的第二连接线。
9.如权利要求8所述的基板,其中第一单元像素区域中的所述第一漏 极电极的所述第一接触板连接到所述第一像素电极,而所述第一单元像素区 域中的所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第二像素电极,并且
其中与所述第一单元像素区域相邻的第二单元像素区域中的所述第一 漏极电极的所述第一接触板连接到所述第二像素电极,而所述第二单元像素 区域中的所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第一像素电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910128588.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:并联机构
- 下一篇:用于操作主动缸活塞的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的