[发明专利]整合型无源元件及其制造方法

权利要求书

1.一种整合型无源元件，其特征在于：所述整合型无源元件包含：

一基板；

一第一绝缘层，堆迭于所述基板的上表面，所述第一绝缘层内具有一第一电路层，所述第一电路层包含至少一电容结构及至少一电阻结构；

一第二绝缘层，堆迭于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层内具有一第二电路层，所述第二金属层的厚度介于5至50微米之间，所述第二电路层与所述第一电路层电性连接，并且形成至少一第一电感结构；及

一第三绝缘层，堆迭于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层内具有一第三电路层，所述第三金属层的厚度介于5至25微米之间，所述第三电路层与所述第二电路层电性连接，并且形成至少一第二电感结构，所述第三绝缘层另具有数个开口，以裸露所述第三电路层的一部分表面并形成数个接垫。

2.如权利要求1所述的整合型无源元件，其特征在于：所述第一、第二及第三绝缘层为低介电值材料，所述低介电值材料选自聚亚酰胺或苯环丁烯。

3.如权利要求1所述的整合型无源元件，其特征在于：所述基板为硅基板或玻璃基板。

4.如权利要求1所述的整合型无源元件，其特征在于：所述接垫另电性连接至少一倒装型芯片或至少一打线型芯片。

5.如权利要求1所述的整合型无源元件，其特征在于：所述基板另包含数个导电通孔，其贯穿所述基板的上表面及下表面。

6.如权利要求1所述的整合型无源元件，其特征在于：每一所述接垫上形成一金属球或连接一金属线。

7.如权利要求1所述的整合型无源元件，其特征在于：所述第一金属层的厚度介于0.1至2微米之间。

8.一种整合型无源元件的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：

在一基板的上表面形成一第一电路层，所述第一电路层包含至少一电容结构及至少一电阻结构；

形成一第一绝缘层，以覆盖所述第一电路层；

在所述第一绝缘层上形成一第二电路层，所述第二金属层的厚度介于5至50微米之间，所述第二电路层电性连接所述第一电路层，并包含至少一第一电感结构；

形成一第二绝缘层，以覆盖所述第二电路层；

在所述第二绝缘层上形成一第三电路层，所述第三金属层的厚度介于5至25微米之间，所述第三电路层电性连接所述第二电路层，并包含至少一第二电感结构；以及

形成一第三绝缘层，以覆盖所述第三电路层，并使所述第三绝缘层形成数个开口，以裸露所述第三电路层的一部分表面及形成数个接垫。

9.如权利要求8所述的整合型无源元件的制造方法，其特征在于：在形成所述第一电路层的步骤中，另在所述基板的下表面形成一不透光金属层。

10.如权利要求8所述的整合型无源元件的制造方法，其特征在于：所述第一金属层的厚度介于0.1至2微米之间。