[发明专利]高次谐波生成元件的制造方法

权利要求书

1.一种高次谐波生成元件的制造方法，其特征在于，具有：

制作芯片的芯片制作工序，该芯片具有：支撑基板、具有设置了周期极化 反转结构的光波导的波长转换层、粘接该波长转换层的底面和所述支撑基板的 有机树脂制成的基底粘接层、设置在所述波长转换层的上表面一侧的上侧基 板、以及粘接所述波长转换层和所述上侧基板的有机树脂制成的上侧粘接层；

对该芯片进行热处理，从而在所述上侧粘接层上从芯片端面产生若干的凹 陷的热处理工序；以及

然后在所述光波导的入射侧端面以及出射侧端面分别形成反射防止膜的 成膜工序。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述光波导是脊型光波导，在该脊型光波导的两侧分别形成有脊槽，在各 脊槽内分别填充了所述上侧粘接层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在所述热处理工序后，在所述成膜工序前，至少所述脊槽内的所述上侧粘 接层的从所述芯片端面开始的凹陷量为100nm以上，1500nm以下。