[发明专利]具有单端读出放大器的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

单端读出放大器，所述单端读出放大器至少包括第一场效应晶体 管、第二场效应晶体管和全局位线电压确定电路，其中，所述第一场 效应晶体管用于放大从存储单元提供到位线的信号，所述第二场效应 晶体管用于将所述第一场效应晶体管的输出信号提供到全局位线；以 及

控制电路，所述控制电路用于基于延迟电路的输出信号，来控制 所述第二场效应晶体管从导电状态到非导电状态的转变的时序、或者 全局读出放大器的读取时序，所述全局放大器包括所述全局位线电压 确定电路，所述延迟电路包括所述第一场效应晶体管的复制品和所述 全局位线电压确定电路的复制品。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延迟电路还包括 用于选择所述存储单元的第三场效应晶体管的复制品。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延迟电路还包括 所述第二场效应晶体管的复制品。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述延迟电路还包括用于选择所述存储单元的第三场效应晶体管 的复制品和所述第二场效应晶体管的复制品，

所述第三场效应晶体管的复制品的输出被提供到所述第一场效应 晶体管的复制品，

所述第一场效应晶体管的复制品的输出被提供到所述第二场效应 晶体管的复制品，

所述第二场效应晶体管的复制品的输出被提供到所述全局位线电 压确定电路的复制品。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延迟电路还包括 所述位线的电容的复制品。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延迟电路还包括 所述全局位线的电容的复制品。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述延迟电路还包括所述位线的电容的复制品和所述全局位线的 电容的复制品，

所述位线的电容的复制品连接到所述第三场效应晶体管的复制 品，

所述全局位线的电容的复制品连接到所述第二场效应晶体管的复 制品。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元包括电 容器和场效应晶体管。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元包括电 阻器和场效应晶体管。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元包括 浮体场效应晶体管。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元包括 有在栅极绝缘膜中设置有电荷捕获区的场效应晶体管。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元包括 在栅极绝缘膜中具有铁电材料的场效应晶体管。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述读出放大器还包括第四场效应晶体管和第五场效应晶体管， 其中，所述第四场效应晶体管用于将所述全局位线电压确定电路的输 出提供至所述全局位线，所述第五场效应晶体管用于将所述全局位线 上的数据提供至所述位线，以及

所述第四场效应晶体管和所述第五场效应晶体管是用于对所述全 局位线电压确定电路的输出的读数据进行写入的、或者从所述半导体 器件的外部向所述存储单元写入写数据的场效应晶体管。