[发明专利]光电元件及其形成方法无效
| 申请号： | 200910128949.9 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101840975A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良;高琳洁;杨淑莹 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 形成 方法 | ||
1.一种光电元件，其特征在于，包含：
一基板；
多个多层膜结构，该多层膜结构形成在该基板上，且该多层膜结构是以具有不同折射率的至少两层绝缘材料层交错堆叠而成；
一第一半导体导电层，该第一半导体导电层形成在该基板上且包覆该多层膜结构；
一发光层，该发光层形成在该第一半导体导电层上；
一第二半导体导电层，该第二半导体导电层形成在该发光层上；及
一透明导电层，该透明导电层形成在该第二半导体导电层上。
2.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于，还包含一第一电极形成在该基板的一下表面。
3.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于，还包含一第一电极形成在该第一半导体导电层的部分表面上。
4.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于，其中该透明导电层曝露出部分是该第二半导体导电层的一表面。
5.如权利要求4所述的光电元件，其特征在于，还包含一第二电极形成在该第二半导体导电层的曝露表面上且与该透明导电层接触。
6.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于，还包含一第二电极形成在该透明导电层上。
7.如权利要求1所述的光电元件，其特征在于，所述多层膜结构的具有不同折射率的该绝缘材料层选自于：氧化硅SiOx、氮化硅SixNy、氮氧化硅SiOxNy、锌化硒ZnSe、氧化钛TiO2及Ta2O22。
8.一种光电元件，其特征在于，包含：
一基板；
具有不同折射率的多层绝缘材料层形成在该基板上，且该多层绝缘材料层的折射率是由下往上递增；
一第一半导体导电层，该第一半导体导电层形成在该基板上且包覆该多层绝缘材料层；
一发光层，该发光层形成在该第一半导体导电层上；及
一第二半导体导电层，该第二半导体导电层形成在该发光层上；及
一透明导电层，该透明导电层形成在该第二半导体导电层上。
9.如权利要求8所述的光电元件，其特征在于，所述透明导电层曝露出部分是该第二半导体导电层的一表面。
10.如权利要求8所述的光电元件，其特征在于，还包含一第二电极形成在该第二半导体导电层曝露的表面上且与该透明导电层接触。
11.如权利要求10所述的光电元件，其特征在于，还包含一第二电极形成在该透明导电层上。
12.如权利要求8所述的光电元件，其特征在于，还包含一第一电极形成在该基板的一下表面。
13.如权利要求8所述的光电元件，其特征在于，还包含一第一电极形成在该第一半导体导电层的部分表面上。
14.如权利要求8所述的光电元件，其特征在于，所述该多层绝缘材料层的折射率介于该第一半导体导电层及该基板的折射率之间。
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