[发明专利]硅纳米晶体光电池及其在薄膜晶体管面板内的应用

权利要求书

1.一种光电池，其特征在于，包含：

一第一导电层；

一第二导电层；以及

一光电转换层，形成于该第一导电层与该第二导电层之间，其中该光电转 换层具有一多重能隙，该光电转换层包含：

一第一富硅介电层，形成于该第一导电层上并且具有一折射率n1； 以及

一第二富硅介电层，形成于该第一富硅介电层上并且具有一折射率 n2，其中，该第二富硅介电层的含硅比例小于该第一富硅介电层的含硅比例， n2<n1。

2.根据权利要求1所述的光电池，其特征在于，每一该第一富硅介电层 与该第二富硅介电层的材质包含一富硅氧化物、一富硅氮化物、一富硅氮氧化 物、一富硅碳化物或这些的组合。

3.根据权利要求1所述的光电池，其特征在于，每一该第一富硅介电层 与该第二富硅介电层包含一纳米晶体硅层，该纳米晶体硅层具有多个硅纳米晶 体，每一该硅纳米晶体的大小介于l纳米到20纳米之间。

4.根据权利要求1所述的光电池，其特征在于，该光电转换层还包含一 第三富硅介电层，形成在该第二富硅介电层与该第二导电层之间，该第三富硅 介电层具有一折射率n3，其中n3<n2<n1。

5.根据权利要求4所述的光电池，其特征在于，该第三富硅介电层的材 质包含一富硅氧化物、一富硅氮化物、一富硅氮氧化物、一富硅碳化物或这些 的组合。

6.根据权利要求1所述的光电池，其特征在于，该光电转换层还包含：

一非晶硅层；以及

一多晶硅层，

其中该第一富硅介电层和该第二富硅介电层形成在该非晶硅层和该多晶 硅层之间。

7.根据权利要求1所述的光电池，其特征在于，进一步包含：

(i)一N型掺杂半导体层形成在该第一导电层与该光电转换层之间；以及

(ii)一P型掺杂半导体层形成在该第二导电层与该光电转换层之间。

8.根据权利要求1所述的光电池，其特征在于，该第一和第二导电层其 中之至少一者的材质为一透明导电材料。

9.一种制造一光电池的方法，其特征在于，包含步骤：

提供一基板；

形成一第一导电层在该基板上；

形成一光电转换层在该第一导电层上，其中该光电转换层具有一多重能 隙，形成该光电转换层的步骤包含步骤：

形成一第一富硅介电层于该第一导电层上，该第一富硅介电层具有一 折射率n1；

形成一第二富硅介电层于该第一富硅介电层上，该第二富硅介电层具 有一折射率n2，其中,该第二富硅介电层的含硅比例小于该第一富硅介电层的 含硅比例，n2<n1；以及

形成一第二导电层在该光电转换层上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成该光电转换层的步 骤进一步包含：

形成一第三富硅介电层在该第二富硅介电层与该第二导电层之间，该第三 富硅介电层具有一折射率n3，其中n3<n2<n1。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法进一步包含：

形成一N型掺杂半导体层在该第一导电层与该光电转换层之间；以及

形成一P型掺杂半导体层在该第二导电层与该光电转换层之间。