[发明专利]半导体处理用的反应管和热处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理用的反应管，其由电绝缘性且耐热性材料一体 地形成，并隔开间隔以层叠状态收纳有多个被处理体，在减压条件下 对所述被处理体实施热处理，其特征在于，包括：

圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于所述反应管装载及卸载 所述被处理体的装载口；和

圆形的顶壁，其闭塞所述侧壁的上端并且与所述侧壁的轴方向正 交，内表面形成为平面状，所述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着 所述侧壁形成的环状槽，

所述环状槽之下的顶壁的厚度比顶壁的其他部分薄，

所述环状槽的外方角部的壁厚比所述环状槽内的其他部位的壁厚 大，

用于保持晶片的晶片舟的顶板与所述顶壁的内表面之间的距离， 和被保持在所述晶片舟的晶片的侧部与所述反应管的侧壁之间的距离 相同，或者比该距离小，

被保持在所述晶片舟的晶片的侧部与所述反应管的侧壁之间的距 离设定在10mm～35mm的范围内。

2.如权利要求1所述的反应管，其特征在于：

所述顶壁在所述周边区域的最外部具有沿着所述侧壁形成的环状 的立起部。

3.如权利要求2所述的反应管，其特征在于：

所述立起部的上缘部向着内方侧弯曲。

4.如权利要求3所述的反应管，其特征在于：

所述立起部的上缘部向着内方侧弯曲90度。

5.如权利要求3所述的反应管，其特征在于：

所述立起部的上缘部在所述顶壁的外表面侧位于最上方。

6.如权利要求1所述的反应管，其特征在于：

所述环状槽的外侧侧面向外方且向上方倾斜，由此，在所述环状 槽的所述外方角部提供更大的壁厚。

7.如权利要求6所述的反应管，其特征在于：

所述环状槽的所述外侧侧面随着台阶部而倾斜。

8.如权利要求1所述的反应管，其特征在于：

所述顶壁在外表面侧的中央区域具有中央凹部，在所述中央凹部 与所述环状槽之间形成有环状凸部。

9.如权利要求8所述的反应管，其特征在于：

所述环状槽的内侧侧面从底面向内方且向上方倾斜，所述中央凹 部的外侧侧面向外方且向上方倾斜。

10.一种半导体处理用的热处理装置，其特征在于，包括：

反应管，其隔开间隔以层叠状态收纳有多个被处理体，在减压条 件下对所述被处理体实施热处理；

加热器，其以包围所述反应管的方式设置；

基板保持件，在所述反应管内保持所述被处理体；

气体供给系统，其与所述反应管连接并向所述反应管内供给处理 气体；和

气体排气系统，其与所述反应管连接并用于对所述反应管内进行 真空排气，其中，

所述反应管由电绝缘性且耐热性材料一体地形成，

所述反应管具备：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于所述 反应管装载及卸载所述被处理体的装载口；和

圆形的顶壁，其闭塞所述侧壁的上端并且与所述侧壁的轴方向正 交，内表面形成为平面状，所述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着 所述侧壁形成的环状槽，

所述环状槽之下的顶壁的厚度比顶壁的其他部分薄，

所述环状槽的外方角部的壁厚比所述环状槽内的其他部位的壁厚 大，

用于保持晶片的晶片舟的顶板与所述顶壁的内表面之间的距离， 和被保持在所述晶片舟的晶片的侧部与所述反应管的侧壁之间的距离 相同，或者比该距离小，

被保持在所述晶片舟的晶片的侧部与所述反应管的侧壁之间的距 离设定在10mm～35mm的范围内。

11.如权利要求10所述的热处理装置，其特征在于：

所述顶壁在所述周边区域的最外部具有沿着所述侧壁形成的环状 的立起部。

12.如权利要求11所述的热处理装置，其特征在于：

所述立起部的上缘部向着内方侧弯曲。