[发明专利]钕铁硼磁体晶界扩散工艺

权利要求书

1.一种提高钕铁硼磁体矫顽力的处理方法，其包括：

步骤A，将一定粒度的重稀土氧化物粉末和/或重稀土氟化物粉末，溶于在磁体表面附着力强且对磁体性能无负影响的无机溶剂内；

步骤B，将磁体置于上述重稀土粉末溶剂内浸泡适当时间，磁体取出后立刻用热风使之干燥；

步骤C，表面涂敷了重稀土粉末的磁体在惰性气中进行热处理；

步骤D，最后进行退火处理。

2.如权利要求1所述的处理方法，其中所述的重稀土氧化物可以为Dy2O3或Tb4O7，或者其混和物。

3.如权利要求1所述的处理方法，其中所述的重稀土氟化物可以为DyF3或TbF3，或者其混和物。

4.如权利要求1所述的处理方法，其中所述的重稀土氧化物或重稀土氟化物粉末平均粒度小于5μm。

5.如权利要求1所述的处理方法，其中所述的重稀土氧化物或重稀土氟化物粉末平均粒度小于0.1μm。

6.如权利要求1所述的处理方法，其中所述的惰性气体为氩气(Ar)。

7.如权利要求1所述的处理方法，其中所述的无机溶剂为可溶解稀土氧化物或氟化物的酸溶剂。

8.如权利要求7所述的处理方法，其中所述的酸溶液为50体积％的硝酸溶剂。

9.如权利要求7或8所述的处理方法，所述的重稀土粉末在酸溶液浓度为1-60重量％。

10.如权利要求1所述的处理方法，所述磁体厚度为0.5-20mm。

11.如权利要求1所述的处理方法，所述磁体厚度为1-5mm。

12.如权利要求1所述的处理方法，所述的步骤C中处理温度范围控制在800-900℃。

13.如权利要求1所述的处理方法，所述的步骤C中处理时间在10小时以内。

14.如权利要求1所述的处理方法，所述的步骤D中退火处理的温度范围控制在500-600℃。

15.如权利要求1所述的处理方法，所述的步骤D中退火处理的时间在2小时以内。