[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200910129860.4 | 申请日: | 2006-11-13 |
公开(公告)号: | CN101577256A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 秋元健吾 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦 晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造液晶显示器的方法,包括:
在第一衬底上形成有源矩阵部分;
其中,该有源矩阵部分包括至少一个薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:
作为沟道形成区域的含有氧化锌的半导体膜;
与所述半导体膜接触的包含氧化物的导电膜;以及
与所述导电膜接触的金属膜,
其中所述导电膜在所述半导体膜和所述金属膜之间;
在所述有源矩阵部分周围形成密封剂的闭合图案;
将液晶组合物滴在所述闭合图案中;以及
在滴液晶组合物之后将第一衬底和第二衬底相互附接。
2.根据权利要求1的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜是铝膜或铝合金膜。
3.根据权利要求1的制造液晶显示器的方法,其中,所述导电膜包含氧化锌。
4.根据权利要求1的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜是Ti膜。
5.根据权利要求1的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜包括包含铝的第一金属层和包含钛的第二金属层,其中第二金属层与所述导电膜接触。
6.一种制造液晶显示器的方法,包括:
在第一衬底之上形成薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:
包含氧化锌的半导体膜;
与所述半导体膜接触的包含氧化物的导电膜;
与所述导电膜接触的金属膜;和
邻近所述半导体膜的栅电极,栅绝缘膜介于所述栅电极和所述半导体膜之间,
其中所述导电膜在所述半导体膜和所述金属膜之间;
在所述第一衬底之上形成像素电极,其中所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接;
在所述第一衬底之上形成密封剂的闭合图案;
将液晶组合物滴在所述闭合图案中的像素电极之上;以及
将第二衬底与所述第一衬底附接,使液晶组合物在第一衬底和第二衬底之间。
7.根据权利要求6的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜是铝膜或铝合金膜。
8.根据权利要求6的制造液晶显示器的方法,其中,所述导电膜包含氧化锌。
9.根据权利要求6的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜是Ti膜。
10.根据权利要求6的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜包括包含铝的第一金属层和包含钛的第二金属层,其中第二金属层与所述导电膜接触。
11.一种制造液晶显示器的方法,包括:
在第一衬底之上形成薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括:
栅电极;
形成在所述栅电极之上的栅绝缘膜;
形成在所述第一衬底之上的金属膜;
形成在所述金属膜上并与所述金属膜接触的包含氧化物的导电膜;和
形成在所述导电膜和所述栅绝缘膜之上并与所述导电膜和所述栅绝缘膜接触的包含氧化锌的半导体膜,所述栅绝缘膜介于所述半导体膜和所述导电膜之间;
在所述半导体膜上形成包含树脂材料的绝缘膜;
在所述绝缘膜之上形成像素电极,其中所述像素电极通过绝缘膜的接触孔而与所述薄膜晶体管电连接;
在所述第一衬底之上形成密封剂的闭合图案;
将液晶组合物滴在所述闭合图案中的像素电极之上;以及
将第二衬底与所述第一衬底附接,使液晶组合物在第一衬底和第二衬底之间。
12.根据权利要求11的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜是铝膜或铝合金膜。
13.根据权利要求11的制造液晶显示器的方法,其中,所述导电膜包含氧化锌。
14.根据权利要求11的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜是Ti膜。
15.根据权利要求11的制造液晶显示器的方法,其中,所述金属膜包括包含铝的第一金属层和包含钛的第二金属层,其中第二金属层与所述导电膜接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造