[发明专利]平板印刷用防护薄膜组件有效
申请号: | 200910129926.X | 申请日: | 2009-04-01 |
公开(公告)号: | CN101551587A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 滨田裕一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 印刷 防护 薄膜 组件 | ||
技术领域
本发明是关于一种平板印刷用防护薄膜组件,其在制造LSI、超LSI等 半导体装置或是液晶显示板时作为平板印刷用光罩的防尘器使用。
现有技术
在制造LSI、超LSI半导体或是液晶显示板等产品时,是用光照射半导 体晶圆或液晶用原板以形成图案,惟若此时所使用的曝光原版有灰尘附着 的话,由于该灰尘会吸收光线,或折射光线,故除了让转印的图案变形、 边缘变粗糙之外,还会使基底污黑,并对尺寸、品质、外观等造成影响。 又,在本发明中,「曝光原版」是平板印刷用光罩或初缩遮罩的总称。
该等作业通常是在无尘室内进行,然而即使是在无尘室内进行,想要 经常保持曝光原版清洁仍是相当困难,故吾人遂在曝光原版表面贴附透光 性良好的防护薄膜组件作为防尘器使用。
此时,异物并非直接附着于曝光原版的表面上,而附着于防护薄膜上, 故只要在平板印刷时将焦点对准曝光原版的图案,防护薄膜上的异物就不 会对转印造成影响。
防护薄膜组件的基本构造,是由防护薄膜组件框架以及铺设于其上的 防护薄膜所构成。防护薄膜,是由硝化纤维素、醋酸纤维素或氟类聚合物 等物质所构成的,其对曝光用光线(g线、i线、248nm、193nm、157nm等) 具备良好的透光性。防护薄膜组件框架,是由符合日本工业规格(Japanese Industrial Standards;JIS)A7075、A6061、A5052的铝合金、不锈钢、聚乙 烯等材料所构成的,其经过黑色氧皮铝处理。在防护薄膜组件框架上部涂 布防护薄膜的良好溶剂,让防护薄膜风干并接合于该防护薄膜组件框架上 部(参照专利文献1),或是用丙烯酸树脂、环氧树脂或氟树脂等接合剂接 合(参照专利文献2)。接着,为了在防护薄膜组件框架下部铺设曝光原板, 遂设置由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂以及硅氧树脂等物 质所构成的粘着层,以及用来保护粘着层的初缩遮罩粘着剂保护用垫片。
防护薄膜组件会覆盖曝光原版表面的图案区域。防护薄膜组件是用来 防止异物附着于曝光原版上而设置的构件,故能隔离该图案区域与防护薄 膜组件外部,防止防护薄膜组件外部灰尘附着于图案表面上。
近年来,LSI的布局规则向0.25微米以下微细化进展,随之曝光光源 也向短波长化进展,亦即,逐渐从原为主流的水银灯的g线(436nm)、i 线(365nm),转而使用KrF准分子雷射(248nm)、ArF准分子雷射(193nm)、 F2雷射(157nm)等雷射光。曝光像这样朝短波长化发展,曝光光线所包 含的能量当然也会变高。比起公知的g线或i线的光线而言,使用准分子雷 射等高能量光线更可能让曝光环境中所存在的气体状物质发生反应而在曝 光原版上产生异物。于是,吾人遂采取若干对策因应,例如:尽量减少无 尘室内的气体状物质、彻底洗净初缩遮罩,或从防护薄膜组件构成物质中 排除会发散气体的物质等。
特别是防护薄膜组件,由于其是直接贴附于曝光原版上使用的物件, 故防护薄膜组件的构成材料,亦即由有机材料所构成的初缩遮罩接合剂、 膜层接合剂、内壁涂布剂等物质,其气体发散率宜降低,以改善情况。然 而,即使初缩遮罩清洗得再干净或防护薄膜组件构成材料的气体发散特性 再怎么降低,也无法完全防止曝光原版上产生所谓「雾霭(haze)」的雾状 异物,而成为半导体制造成品率降低的原因。
又,图案区域扩大到防护薄膜组件框架附近,故对曝光区域的管理标 准也提高。如是,专利文献3揭示在防护薄膜组件框架上下端面4个角落 实施斜面倒角加工的技术特征。然而,在粘贴防护薄膜组件于曝光原版上 时,公知的防护薄膜组件框架上下端面的斜面倒角尺寸并不适当,而会发 生曝光原版接合用粘着剂超溢出框架整体宽度的不良情况。因此,无法解 决半导体制造成品率降低的问题。
[专利文献1]日本特开昭58-219023号公报
[专利文献2]美国专利第4861402号说明书
[专利文献3]日本特开2001-92113号公报
发明内容
[发明所欲解决的问题]
本发明的目的就是为了解决上述问题点。亦即,本发明所欲解决的问 题为:曝光原版接合用粘着剂不会超溢出防护薄膜组件框架整体宽度而能 稳定地设置,藉此提高半导体制造成品率。
[解决问题的技术手段]
上述问题,可由以下(1)所记载的机构解决之。本发明较佳实施态样 也一并列出。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备