[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件的信号处理方法和电子装置有效
申请号: | 200910130040.7 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101556965A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 信号 处理 方法 电子 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
像素阵列部,其被设置为包括排列起来的多个单位像素,所述多个 单位像素中的各个单位像素是在垂直和水平方向上具有不同尺寸的矩形 像素,并且所述多个单位像素中的多个相邻单位像素被组合起来以形成 在垂直和水平方向上具有相同尺寸的正方形像素;以及
信号处理部,其被设置为对从所述多个被组合起来的单位像素中读 出的多个信号进行处理并且将处理过的信号作为单个信号输出。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述多个单位像素的 沿垂直方向的像素间距和沿水平方向的像素间距之中较短的那个像素间 距等于或小于用于接收进入到所述像素阵列部中的入射光的光学系统的 分辨率。
3.如权利要求1所述的固体摄像器件,其还包括驱动部,所述驱动 部被设置为从所述多个单位像素中读出具有不同灵敏度的信号。
4.如权利要求3所述的固体摄像器件,其中,
所述具有不同灵敏度的信号是高灵敏度信号和低灵敏度信号,并且
当所述高灵敏度信号未达到饱和电平时,所述信号处理部输出所述 高灵敏度信号,而当所述高灵敏度信号达到饱和电平时,所述信号处理 部输出所述低灵敏度信号,
所述饱和电平是指信号大体上处于这样一个电平,处于该电平的所 述信号对入射光的量没有大的线性响应。
5.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述多个单位像素具 有从布线形成层的相对侧接收入射光的背面入射型像素结构,或者具有 在层叠于布线形成层的入射光侧上的光电转换膜处进行光电转换的光电 转换膜层叠型像素结构。
6.一种固体摄像器件的信号处理方法,该信号处理方法包括以下步 骤:对具有多个单位像素的像素阵列部中的各个单位像素进行信号处理, 所述多个单位像素中的各个单位像素是在垂直和水平方向上具有不同尺 寸的矩形像素,并且所述多个单位像素中的多个相邻单位像素被组合起 来以形成在垂直和水平方向上具有相同尺寸正方形像素,
其中,对从所述多个被组合起来的单位像素中读出的多个信号进行 处理,并作为单个信号输出。
7.如权利要求6所述的固体摄像器件的信号处理方法,其中,
所述多个信号是包括高灵敏度信号和低灵敏度信号的两个信号,并 且
当所述高灵敏度信号未到达饱和电平时,使用所述高灵敏度信号来 生成视频信号,
而当所述高灵敏度信号到达饱和电平时,使用所述低灵敏度信号来 生成视频信号,
所述饱和电平是指信号大体上处于这样一个电平,处于该电平的所 述信号对入射光的量没有大的线性响应。
8.一种固体摄像器件的信号处理方法,该信号处理方法包括以下步 骤:对来自于具有排列起来的多个单位像素的像素阵列部的信号进行处 理,所述多个单位像素中的各个单位像素是在垂直和水平方向上具有不 同尺寸的矩形像素,并且所述多个单位像素中的多个相邻单位像素被组 合起来以形成在垂直和水平方向上具有相同尺寸的正方形像素,
其中,从所述多个被组合起来的单位像素中读出的多个信号是彼此 具有不同灵敏度的信号,并且被处理成来自于正方形格子的信号。
9.一种电子装置,其包括:
固体摄像器件,所述固体摄像器件被设置为包括像素阵列部,该像 素阵列部包括排列起来的多个单位像素,所述多个单位像素中的各个单 位像素是在垂直和水平方向上具有不同尺寸的矩形像素,且所述多个单 位像素中的多个相邻单位像素被组合起来以形成在垂直和水平方向上具 有相同尺寸的正方形像素,并且所述固体摄像器件被设置为对从所述多 个被组合起来的单位像素中读出的多个信号进行处理并将处理过的信号 作为单个信号输出;以及
光学系统,其被设置为用于接收进入到所述固体摄像器件的摄像面 上的入射光。
10.如权利要求9所述的电子装置,其中,所述多个单位像素的沿 垂直方向的像素间距和沿水平方向的像素间距之中较短的那个像素间距 等于或小于所述光学系统的分辨率。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的