[发明专利]一种利用薄膜电晶体作为非易失性存储器的方法及其装置

权利要求书

1.一种电荷储存于薄膜电晶体基底的方法，其特征在于，一薄膜电晶体具有中间为一基底以及两端分别为一漏极、一源极的一半导体层，设置于具有一绝缘表面的一基板上，一栅极绝缘层设置于该半导体层上，以及一栅极设置于该栅极绝缘层上，该电荷储存于薄膜电晶体基底的方法包含：

一写入动作，其包括在该薄膜电晶体的漏极施加一第一漏极电压，在该薄膜电晶体的栅极施加一栅极电压，以及将该薄膜电晶体的源极接地，其中，当该栅极电压与该第一漏极电压所产生的焦尔热，足以造成自我加热效应，该薄膜电晶体中的多数载流子注入该薄膜电晶体中的基底，并造成该薄膜电晶体起始电压改变，完成写入动作；以及

一擦除动作，其包括在该薄膜电晶体的漏极施加一第二漏极电压，在该薄膜电晶体的源极施加一源极电压，以及将该薄膜电晶体的栅极接地，其中，当该第二漏极电压与该源极电压之间的电压差，足以让该基底中的多数载流子克服该基底中晶界所造的能障时，两者间偏压使该存储器的该半导体层中的多数载流子在基底中移除。

2.如权利要求1所述的一种电荷储存于薄膜电晶体基底的方法，其特征在于，该栅极电压以及该第一漏极电压为正电压。

3.如权利要求1所述的一种电荷储存于薄膜电晶体基底的方法，其特征在于，该薄膜电晶体与一般薄膜电晶体构成的元件整合于相同基板上。

4.一种非易失性存储器装置，提供一数据写入动作以及一数据擦除动作，其特征在于，包含：

一存储器，用于存取数据，其包含至少一存储单元以阵列方式所构成，该存储单元包含一半导体层设置于具有一绝缘表面的一基板上，一栅极绝缘层设置于该半导体层上，以及一栅极设置于该栅极绝缘层上；

一逻辑电路，用于控制数据，其中，该存储单元的该半导体层由一基底以及分别位于该基底两端的一源极及一漏极所构成，该存储单元为一般薄膜电晶体结构，且该存储器以及该逻辑电路整合于所述基板上。

5.如权利要求4所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，该数据写入动作，包括：

在该存储单元的该漏极施加一第一漏极电压；

在该存储单元的该栅极施加一栅极电压；以及

将该存储单元的该源极接地。

6.如权利要求5所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，当该栅极电压与该第一漏极电压所产生的焦尔热，足以造成自我加热效应，该存储单元中的多数载流子注入该存储单元中的基底，并造成该存储单元起始电压改变，完成写入动作。

7.如权利要求5所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，该栅极电压以及该第一漏极电压为正电压。

8.如权利要求4所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，该数据擦除动作的方法，包括：

在该存储单元的漏极施加一第二漏极电压；

在该存储单元的源极施加一源极电压；以及

将该存储单元的该栅极接地。

9.如权利要求8所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，当该第二漏极电压与该源极电压之间的电压差，足以让基底中的多数载流子克服基底中晶界所造的能障时，两者间偏压使该存储单元的该半导体层中的多数载流子于基底中移除。

10.如权利要求4所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，该逻辑电路包含至少一薄膜电晶体，且该薄膜电晶体与该存储器整合于该基板上。

11.如权利要求10所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，该基板为低温多晶硅基板。

12.如权利要求11所述的一种非易失性存储器装置，其特征在于，该非易失性存储器与相同制程的一般液晶显示器面板作结合，整合于同一低温多晶硅基板上。