[发明专利]反相器和包括反相器的逻辑电路

权利要求书

1.一种反相器，包括：

耗尽型的负载晶体管，所述负载晶体管具有作为第一沟道层的第一氧化 物层；

增强型的驱动晶体管，所述驱动晶体管连接到所述负载晶体管，所述驱 动晶体管具有作为第二沟道层的第二氧化物层；

源电极和漏电极，均与第二氧化物层对应；

阻挡层，在第二氧化物层与所述源电极和漏电极之间，阻挡层的功函数 大于第二氧化物层的功函数。

2.如权利要求1所述的反相器，其中，阻挡层是从由Ti氧化物层、Cu 氧化物层、Ni氧化物层、掺杂有Ti的Ni氧化物层、ZnO类氧化物层、掺杂 有I族、II族和V族元素的ZnO类氧化物层、掺杂有Ag的ZnO类氧化物层 以及它们的组合组成的组中选择的至少一种。

3.如权利要求1所述的反相器，其中，第一氧化物层和第二氧化物层是 相同材料的层。

4.如权利要求1所述的反相器，其中，第一氧化物层和第二氧化物层中 的至少一个包含ZnO类材料。

5.如权利要求1所述的反相器，其中，负载晶体管和驱动晶体管中的至 少一个是具有底栅结构的薄膜晶体管。

6.如权利要求1所述的反相器，其中，负载晶体管和驱动晶体管中的至 少一个是具有顶栅结构的薄膜晶体管。

7.一种反相器，包括：

耗尽型的负载晶体管，所述负载晶体管具有作为第一沟道层的第一氧化 物层；

增强型的驱动晶体管，所述驱动晶体管连接到所述负载晶体管，所述驱 动晶体管具有作为第二沟道层的第二氧化物层，

其中，第一氧化物层和第二氧化物层具有不同的载流子浓度。

8.如权利要求7所述的反相器，其中，第二氧化物层的载流子浓度低于 第一氧化物层的载流子浓度。

9.如权利要求7所述的反相器，其中，第一氧化物层和第二氧化物层中 的至少一个包含ZnO类材料。

10.如权利要求7所述的反相器，其中，负载晶体管和驱动晶体管中的 至少一个是具有底栅结构的薄膜晶体管。

11.如权利要求7所述的反相器，其中，负载晶体管和驱动晶体管中的 至少一个是具有顶栅结构的薄膜晶体管。

12.一种反相器，包括：

耗尽型的负载晶体管，所述负载晶体管具有作为第一沟道层的第一氧化 物层；

增强型的驱动晶体管，所述驱动晶体管连接到所述负载晶体管，所述驱 动晶体管具有作为第二沟道层的第二氧化物层，

其中，利用等离子体处理第一氧化物层的表面，使得第一氧化物层的导 电性高于第二氧化物层的导电性。

13.如权利要求12所述的反相器，其中，利用Ar等离子体处理第一氧 化物层的表面。

14.如权利要求12所述的反相器，其中，第一氧化物层和第二氧化物层 中的至少一个包含ZnO类材料。

15.如权利要求12所述的反相器，其中，负载晶体管和驱动晶体管中的 至少一个是具有底栅结构的薄膜晶体管。

16.如权利要求12所述的反相器，其中，负载晶体管和驱动晶体管中的 至少一个是具有顶栅结构的薄膜晶体管。

17.一种包括如权利要求1、权利要求7和权利要求12中的任意一项权 利要求所述的反相器的逻辑电路。

18.如权利要求17所述的逻辑电路，其中，所述逻辑电路是与非电路、 或非电路、编码器、解码器、复用器、解复器或灵敏放大器。