[发明专利]反应装置以及电子设备

权利要求书

1.一种反应装置，其包括：

反应装置主体，其具有反应物进行反应的反应部；以及

第一容器，其收纳有所述反应装置主体；

其中所述第一容器具有透过来自所述反应装置主体的辐射的辐射透过区域；

所述反应装置主体具有流过在所述反应部反应的反应物或者在所述反应部生成的生成物的连接部，

所述连接部与所述辐射透过区域相对配置。

2.如权利要求1所述的反应装置，其特征在于，

所述第一容器的所述辐射透过区域使用CaF₂、BaF₂、ZnSe、MgF₂、KRS-5、KRS-6、LiF、SiO₂、CsI、KBr、AlF₃、NaCl、KF、KCl、CsCl、CsBr、CsF、NaBr、CaCO₃、KI、NaI、NaNO₃、AgCl、AgBr、TlBr、Al₂O₃、BiF₃、CdSe、CdS、CdTe、CeF₃、CeO₂、Cr₂O₃、DyF₂、Fe₂O₃、GaAs、GaSe、Gd₂O₃、Ge、HfO₂、HoF₃、Ho₂O₃、La₂O₃、MgO、NaF、Nb₂O₅、PbF₂、Si、Si₃N₄、SrF₂、TlCl、YF₃、Y₂O₃、ZnO、ZnS、ZrO₂中的至少一种，

所述第一容器的除去所述辐射透过区域的部分使用红外区域的透过率比所述第一容器的所述辐射透过区域低的材料。

3.如权利要求1所述的反应装置，其特征在于，

整个所述第一容器使用CaF₂、BaF₂、ZnSe、MgF₂、KRS-5、KRS-6、LiF、SiO₂、CsI、KBr、AlF₃、NaCl、KF、KCl、CsCl、CsBr、CsF、NaBr、CaCO₃、KI、NaI、NaNO₃、AgCl、AgBr、TlBr、Al₂O₃、BiF₃、CdSe、CdS、CdTe、CeF₃、CeO₂、Cr₂O₃、DyF₂、Fe₂O₃、GaAs、GaSe、Gd₂O₃、Ge、HfO₂、HoF₃、Ho₂O₃、La₂O₃、MgO、NaF、Nb₂O₅、PbF₂、Si、Si₃N₄、SrF₂、TlCl、YF₃、Y₂O₃、ZnO、ZnS、ZrO₂中的至少一种。

4.如权利要求1所述的反应装置，其特征在于， 

所述第一容器的除去所述辐射透过区域以外的部分的内壁面使用Au、Al、Ag、Cu、Rh中的至少一种。

5.如权利要求1所述的反应装置，其特征在于，

在所述反应装置主体的与所述辐射透过区域相对的面上，设置有红外区域的辐射率比所述反应装置主体的除去与所述辐射透过区域相对的面以外的部分的外壁面高的辐射散热区域。