[发明专利]具有用于施加偏置磁场的模塑封装的传感器模块有效

专利信息
申请号: 200910130314.2 申请日: 2009-03-26
公开(公告)号: CN101545914A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 霍斯特·托伊斯;赫尔穆特·维奇尔克 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01P3/42 分类号: G01P3/42;G01P3/44;H01L43/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 吴贵明;李 慧
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 施加 偏置 磁场 塑封 传感器 模块
【权利要求书】:

1.一种制造传感器模块的方法,所述方法包括:

提供基底,所述基底包括磁灵敏的传感器元件;

利用至少一种模塑料来封装所述传感器元件和所述基底,所述至少一种模塑料被构造成对所述传感器元件施加偏置磁场;以及

在封装之前,在所述传感器元件上方施加非磁性结构,

其中,所述至少一种模塑料封装所述传感器元件、所述非磁性结构和所述基底,

并且其中,所述非磁性结构具有基本呈圆锥的形状和基本呈凸起的形状中的其中一种形状。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非磁性结构具有基本呈圆锥的形状。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非磁性结构具有基本呈凸起的形状。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非磁性结构包括聚合物材料。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非磁性结构包括光致抗蚀剂材料。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述偏置磁场垂直于所述传感器元件的平面。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述模塑料包括多个磁性颗粒。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,封装由喷射造型工艺或压缩模塑工艺进行。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述传感器元件是巨磁电阻(GMR)元件。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述传感器元件是霍尔元件。

11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

对所述基底施加至少一个电互连。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述至少一个电互连包括至少一条接合线,并且其中,所述至少一种模塑料封装所述至少一条接合线。

13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基底包括半导体芯片。

14.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基底包括多个磁灵敏传感器元件,并且其中,所述方法还包括:

在封装之前,在所述传感器元件中的每一个上方施加非磁性结构;并且

其中,所述至少一种模塑料封装所述多个传感器元件、所述非磁性结构以及所述基底。

15.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将所述基底施加在载体结构上。

16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述载体结构是引线框。

17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述至少一种模塑料封装所述传感器元件、所述基底和所述载体结构。

18.一种传感器模块,包括:

基底,包括磁灵敏元件;

至少一个模塑结构,封装所述磁灵敏元件和所述基底,所述至少一个模塑结构被构造成对所述磁灵敏元件施加偏置磁场;以及

非磁性结构,位于所述磁灵敏元件上方;并且

其中,所述至少一个模塑结构封装所述磁灵敏元件、所述非磁性结构和所述基底,

其中,所述非磁性结构具有基本呈圆锥的形状和基本呈凸起的形状中的其中一种形状。

19.一种传感器模块,包括:

半导体基底,包括磁灵敏元件;

聚合物结构,设置在所述磁灵敏元件上方;

具有磁性颗粒的模塑料,用于封装所述聚合物结构、所述磁灵敏元件和所述基底,所述模塑料被构造成对所述磁灵敏元件施加偏置磁场;以及

所述聚合物结构具有基本呈圆锥的形状和基本呈凸起的形状中的其中一种形状。

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