[发明专利]集成电路结构的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于其包含以下步骤：

提供一基材，包含一第一有源区与一第二有源区，该第二有源区邻近 于该第一有源区；

形成一栅极电极层于该基材上；

蚀刻该栅极电极层，其中该栅极电极层的多个剩余部分包含：

一第一栅极带；

一第二栅极带，其平行于该第一栅极带，其中该第一栅极带的一 第一长度方向平行但未对齐于该第二栅极带的一第二长度方向；以及

一牺牲带，具有一长度方向，该长度方向未平行于该第一长度方 向与该第二长度方向，其中该牺牲带介于该第一有源区与该第二有源区之 间，且其中该牺牲带交互连接该第一栅极带与该第二栅极带；

形成一掩模层覆盖该第一栅极带与该第二栅极带的多个部分，其中该 牺牲带、以及与该牺牲带连接的该第一栅极带与该第二栅极带的多个连接 部分为该掩模层中的一开口所暴露出；以及

蚀刻该开口所暴露出的该牺牲带以及该第一栅极带与该第二栅极带的 该些连接部分。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该牺牲带具有一第 一端连接于该第一栅极带、以及一第二端连接于该第二栅极带。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中在蚀刻该栅极电极 层的步骤后与蚀刻该牺牲带的步骤前，该栅极电极层的该些剩余部分更包 含一第三栅极带，其平行于该第一栅极带与该第二栅极带，其中该牺牲带 进一步连接该第三栅极带。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该基材更包含一第 三有源区与一第四有源区，该第四有源区邻近于该第三有源区；

其中在蚀刻该栅极电极层的步骤后与蚀刻该牺牲带的步骤前，该栅极 电极层的该些剩余部分更包含一另一栅极带从该第三有源区上方延伸至该 第四有源区上方，其中在该第三有源区与该第四有源区之间的区域中，无 连接至该另一栅极带的牺牲带；以及

其中介于该第三有源区与该第四有源区之间的该另一栅极带的一部分 为该掩模层所暴露出。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该牺牲带的该长度 方向垂直于该第一长度方向与该第二长度方向。

6.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于其包含以下步骤：

提供一基材，包含：

一第一有源区；

一第二有源区，邻近于该第一有源区；及

一绝缘区，毗邻且介于该第一有源区与该第二有源区之间；

形成一栅极介电层于该基材上；

形成一栅极电极层于该栅极介电层上；

蚀刻该栅极电极层，其中该栅极电极层的多个剩余部分包含：

一第一栅极带，位于该第一有源区上；

一第二栅极带，位于该第一有源区上；

一第三栅极带，位于该第二有源区上；

一第四栅极带，位于该第二有源区上，其中该第一栅极带、该第 二栅极带、该第三栅极带与该第四栅极带平行于彼此，且均包含一部分延 伸在该绝缘区上；以及

一牺牲带，位于该绝缘区上，且具有一长度方向，垂直于该第 一栅极带的一长度方向，其中该牺牲带交互连接该第一栅极带与该第三栅 极带，且该牺牲带进一步与该第二栅极带及该第四栅极带连接；

形成一掩模层覆盖该第一栅极带、该第二栅极带、该第三栅极带与该 第四栅极带直接位于该第一有源区与该第二有源区上的多个部分，其中该 牺牲带为该掩模层中一开口所暴露出；以及

通过该开口蚀刻该牺牲带。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于其中在蚀刻该牺牲带的 步骤期间，蚀刻直接为该开口所暴露的该第一栅极带、该第二栅极带、该 第三栅极带与该第四栅极带的多个另一部分。

8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于其中该第一栅极带与该 第三栅极带在该第一栅极带与该第三栅极带长度方向上并未对齐。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于其中在蚀刻该牺牲带的 步骤前，该第二栅极带与该第四栅极带对齐且形成一直线带。