[发明专利]磁控管的管芯有效

专利信息
申请号: 200910131018.4 申请日: 2009-04-20
公开(公告)号: CN101527245A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 张文亮 申请(专利权)人: 广东格兰仕集团有限公司
主分类号: H01J25/50 分类号: H01J25/50
代理公司: 佛山市粤顺知识产权代理事务所 代理人: 唐强熙
地址: 528300广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁控管 管芯
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种磁控管,特别是一种微波炉用磁控管的管芯。

背景技术

众所周知,连续波磁控管是一种重入式谐振型正交场振荡器,是微波技术中的一种高功率源。磁控管由谐振系统、阴极组件及能量输出装置等部件组成,由通电的钍钨阴极达到一定温度后开始发射电子,发射电子在正交的直流电磁场中产生高速旋转电子云(即高频场)。当电子云的旋转与谐振腔达到同步时,电子云就将能量转交给谐振系统,产生微波,然后微波由能量输出系统输出到所用部件如微波炉的波导中。

电磁兼容技术是一门迅速发展的交叉科学,涉及通讯、电子、军事、航空以及人们生活的各个方面,在当今的信息社会中,许多国家对电子产品的电磁兼容性都作了强制性限制。磁控管属于一种微波电子管,它被广泛应用于军、民、林等领域中,对电磁兼容的要求自然是不容忽视。

如今微波炉用磁控管技术已经趋近成熟,因此如何在提高管子效率的前提下进一步降低材料成本,节省能源同时兼顾电磁兼容性能一直是本行业在努力研究的技术难题。

现有的磁控管结构如图1所示,其阳极组件的上磁极靴11和下磁极靴13对称,两者高度c0和b0相等,阳极筒高度a0高度大于25.5mm。阴极组件由长引线14、K侧管15、下端帽组件16、本体17和陶瓷支持体18等构成。该结构的磁极靴对称设计,不能充分解决充磁问题;阳极腔的空间较大,不易保证管子同心度,从而大大降低高频能量交换率,微波炉效率下降,电磁兼容性较差。

中国专利文献号CN1797675A公开一种磁控管的磁极构造,该磁控管具有以下结构,即磁轭的内部装有阳极筒体,该阳极筒体的内部装有若干个呈放射状排列的叶片,因而该阳极筒体和叶片一起构成了能够产生高频能量的阳极部;阳极筒体的中心轴上装有灯丝,为了形成一定的作用空间,灯丝与叶片的前端相距一定间隔,该灯丝能够释放出热电子,因而构成磁控管的阴极部;阳极筒体的上、下方装有上、下部磁极,该上部磁极和下部磁极的上、下方分别装有上部磁铁和下部磁铁,因而它们可以形成磁场回路;此外,磁控管中还具备穿过了上部磁极的天线,该天线用来输出高频振荡,该磁控管中,为了使磁场能量向作用空间集中,上部磁极和下部磁极呈圆形并相互对称。该结构的上部磁极和下部磁极相互对称,体积大、耗材多、造价成本高。

发明内容

本发明的目的旨在提供一种结构稳固、使用寿命长、节能环保、低噪音的磁控管的管芯,以克服现有技术中的不足之处。

按此目的设计的一种磁控管的管芯,包括阳极组件和阴极组件,阳极组件包括阳极筒,阳极筒两端分别设置有上磁极靴、下磁极靴,阳极筒内中央设置有阳极板;阴极组件由本体、K侧管、下端帽组件和长引线构成,其结构特征是阳极板上、下端面分别与上、下磁极靴端面形成不对称腔,长引线长度g为26~34mm。

所述上磁极靴与下磁极靴不对称,阳极板上端面到上磁极靴下端面或上端面的距离小于阳极板下端面到下磁极靴上端面或下端面的距离。

所述上磁极靴与下磁极靴不对称,阳极板上端面到上磁极靴下端面或上端面的距离大于阳极板下端面到下磁极靴上端面或下端面的距离。

所述上磁极靴高度c大于下磁极靴高度b,b为2.5~6.5mm;或者,上磁极靴高度c小于下磁极靴高度b,c为2.5~6.5mm。

所述阳极筒的高度a为21~25.5mm;下磁极靴高度b为4.51~4.59mm。或者,阳极筒的高度a为22.96~23.04mm。

所述长引线长度g为29.6~30.3mm。

所述本体高度d为14.5~22.5mm,K侧管高度e为4.6~13.6mm,下端帽组件长度f为13.5~21.5mm。或者,本体高度d为17.5~17.9mm,K侧管高度e为10.625~10.675mm,下端帽组件长度f为18.2~18.8mm。

所述磁控管的管芯输出功率为600~1100W,电子效率为75%。

本发明通过设计不对称的磁极靴,形成不对称阳极腔,充分解决充磁问题;阳极腔的缩小式设计和阴极组件的特殊设计,大大提高了管子同心度,从而大大提高高频能量交换率,提高微波炉效率,EMC(电磁兼容性)得到了进一步的改善。同时,在不影响磁控管使用效果之余,将阴极组件中的陶瓷支持体去掉,更进一步降低产品成本。其结构简单合理、低噪音、能耗小、成本低、效率高、寿命长。

附图说明

图1为现有技术磁控管剖面结构示意图。

图2为本发明一实施例结构示意图。

图3为阳极腔结构示意图。

图4为阴极组件结构示意图。

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