[发明专利]金属氧化物半导体晶体管结构

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体晶体管结构，其特征在于，包括：

栅极，覆盖半导体衬底的有效区域；

漏极掺杂区，为第一导电型并与所述栅极的边缘之间具有一段距 离，其中，所述漏极掺杂区形成在所述半导体衬底中，以及该半导体 衬底为第二导电型；

第一轻掺杂区，为所述第一导电型并位于所述栅极与所述漏极掺 杂区之间；

源极掺杂区，为所述第一导电型并位于所述第二导电型的第一离 子阱中；以及

第二轻掺杂区，为所述第一导电型并位于所述栅极与所述源极掺 杂区之间。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，所述金属氧化物半导体晶体管结构进一步包括用于隔离的所述 半导体衬底中的所述第一导电型的第二离子阱，其中，所述第一离子 阱位于所述第二离子阱之上。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，位于所述栅极之下的所述第一轻掺杂区与所述第二轻掺杂区之 间定义为沟道区。

4.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，所述沟道区包括所述第一离子阱的第一部分与所述半导体衬底 的第二部分。

5.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，进一步包括位于所述栅极与所述沟道区之间的栅极电介质层。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，所述栅极包括两部分：第一部分与第二部分，其中，所述栅极 的所述第一部分具有第一浓度的掺杂剂，接近于所述漏极掺杂区的所 述第二部分具有第二浓度的掺杂剂。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，所述第二浓度比所述第一浓度低。

8.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，所述漏极掺杂区形成于所述半导体衬底中并位于所述第二离子 阱之上。

9.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特征 在于，浅沟槽隔离区包围所述有效区域。

10.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特 征在于，所述金属氧化物半导体晶体管结构还包括侧壁间隔，所述侧 壁间隔形成于所述栅极的侧壁。

11.一种金属氧化物半导体晶体管结构，其特征在于，包括：

栅极，覆盖半导体衬底的有效区域；

漏极结构，为第一导电型并位于所述栅极的一侧，其中，所述漏 极结构包括与第二重掺杂区隔开的第一重掺杂区，所述第二重掺杂区 接近于所述栅极；所述漏极结构还包括第一轻掺杂区，所述第一轻掺 杂区置于所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间，以及第二轻掺 杂区，所述第二轻掺杂区置于所述栅极与所述第二重掺杂区之间；

源极掺杂区，为所述第一导电型并位于所述栅极另一侧的第二导 电型的第一离子阱中；以及

第三轻掺杂区，为所述第一导电型并位于所述栅极与所述源极掺 杂区之间。

12.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特 征在于，所述半导体衬底为所述第二导电型；所述金属氧化物半导体 晶体管结构进一步包括用于大量隔离的所述半导体衬底中的所述第一 导电型的第二离子阱，其中，所述第一离子阱位于所述第二离子阱之 上。

13.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特 征在于，所述漏极结构不形成于所述第一离子阱中。

14.根据权利要求11所述的金属氧化物半导体晶体管结构，其特 征在于，所述漏极结构、所述源极掺杂区以及所述第三轻掺杂区形成 于所述第一离子阱中。