[发明专利]具有多方向性光散射的发光二极管的结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管结构及其制造方法，特别是涉及一种具有多方向性光散射的发光二极管结构及其制造方法。

背景技术

目前，Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管系列自1995年发表以来，制造良率以及效益随着近年的技术不断地改善，然而发光二极管的出光方向虽为无四面八方进行，但其出光方向还是非为多方向性。

如TW专利公告编号第546452号，专利名称：使用发光二极管的照明装置其所揭示的一种照明装置，其特征为：于球状绝缘体的表面安装多个发光二极管晶片，将前述发光二极管晶片串联连接，于两端导体部设置引线，以覆盖前述发光二极管晶片及前述引线的一部份，而形成球状的透明或半透明树脂体，于前述透明成半透明树脂体中混入Al、Au、W、Ti、Mo等粉末或线状的光散射物质。于封装的半透明树脂体中加入光散射物质。

请参阅图1，其为公知技术提高发光效率的发光二极管的结构示意图；如图所示，TW专利证号第229949号，专利名称：发光二极管制程及其产品其所揭示的一种发光二极管，其包含一基板11、N型半导体层12、发光层13、P型半导体层14、透明导电层15、N型电极16以及P型电极17，于所述透明导电层15具有多个自一相反于所述磊晶层单元的表面向所述磊晶层单元方向凹陷形成的凹孔，所述多凹孔使得当光线通过时产生散射，而使所述发光二极管亮度提升。

再者，请参阅图2，其为公知技术提高发光效率的发光二极管的结构示意图；如图所示，所述发光二极管结构及其制造方法其所揭示一种发光二极管结构，至少包括一基板11；一混合层18，形成于所述基板11上，所述混合层18至少具有一粗化层用以扩散射入的光线；一N型半导体层12，形成于所述混合层上18；一发光层13，形成于所述N型半导体层12上；一P型半导体层14，形成于所述发光层13上。藉所述混合层18以扩散射入的光线。

由上所述可知发光二极管的单一方向性的出光效率，实为一重大需解决的课题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供一种具有多方向性光散射的发光二极管的结构，以将一发光层的出光成为多方向散射。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案包括：一基板；一第一半导体层，其设置于所述基板之上；一发光层，其设置于所述第一半导体层之上；一第二半导体层，其设置于所述发光层之上；一透明导电层，其部分设置于所述第二半导体层之上；一散射层，其设置于所述第一半导体层之上，所述散射层具有散射表面；一第一电极，其设置于所述散射层之上；一第二电极，其部分设置于所述第二半导体层与部份透明导电层之上。

本发明的有益效果在于：将发光二极管的出光效应变成多方向性的散射，可以提高发光二极管的出光效率。

本发明所述的具有多方向性光散射的发光二极管的制造方法，包含：形成一基板；形成一第一半导体层于所述基板之上；形成一发光层于所述半导体层之上；形成一第二半导体层于所述发光层之上；形成一金属氧化物层于所述第二半导体层之上，且所述金属氧化物层成不规则设置；进行蚀刻，以将所述金属氧化物层蚀刻，并于部分所述第一半导体层之上形成一散射层；形成一透明导电层，使其部份覆盖于所述第二半导体层之上；形成一第一电极于所述散射层之上；形成一第二电极于部分所述第二半导体层与所述透明导电层之上。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是公知技术提高发光效率的发光二极管的结构示意图；

图2是公知技术提高发光效率的发光二极管的结构示意图；

图3A至图3D是本发明实施例的制造流程的结构示意图；

图4是本发明实施例的散射层的放大结构示意图；

图5A至图5B是本发明实施例的制造流程的结构示意图。

图中附图标记说明：

11’为基板，        12’为N型半导体层，13’为发光层，

14’为P型半导体层， 15’为透明导电层， 16’为N型电极，

17’为P型电极，     18’为混合层，     10为基板，

11为第一半导体层，  12为发光层，       13为第二半导体层，

14为金属氧化层，    15为散射层，       16为透明导电层，

17为第一电极，      18为第二电极，     20为折射层，

L1、L2、L3均为深度。

具体实施方式