[发明专利]一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法

权利要求书

1.一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法，其特征是：

该制备方法以微波辐照产生氩的等离子体，轰击铜靶；以纯铜作靶，采用 交流辉光放电由氩离子溅射出铜离子，同时用微波辐照维持等离子状态；通入 碘的蒸汽，微波辐照下形成碘离子；铜离子与碘离子共同在基片上沉积成碘化 亚铜薄半导体膜；将微波辐照与离子轰击结合在一起，保证成膜是以离子的形 式进行。

2.根据权利要求1所述的一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法， 其特征是：在真空状态下，以氩气等惰性气体为轰击离子，在微波辐照下形成 等离子体。

3.根据权利要求1所述的一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法， 其特征是：通过微波系统送入微波的灯丝电流为0.3A，加偏压180V，离子清 洗镀膜室和成膜衬底15分钟。

4.根据权利要求3所述的一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法， 其特征是：清洗工作完成后，微波电流调到0.1-0.2A，偏压调到60V，调节基 座及加热装置使温度降到250℃。