[发明专利]模拟多路复用器及其选择信号生成方法

权利要求书

1.一种模拟多路复用器，包括：

多个输入端子；

至少一个参考电压输入端子；

第一输出端子；

第二输出端子；

第一开关部件，所述第一开关部件包括多个开关，所述多个开关连接在各个输入端子和所述第一输出端子之间，并且被构造成基于控制信号，在所述多个输入端子中的一个和所述第一输出端子之间建立传导状态；

第二开关部件，所述第二开关部件包括多个开关，所述多个开关连接在各个输入端子和所述第二输出端子之间，并且被设置成非传导状态；

第三开关部件，所述第三开关部件包括至少一个开关，所述至少一个开关连接在所述参考电压输入端子和所述第一输出端子之间，并且被设置成非传导状态；

第四开关部件，所述第四开关部件包括至少一个开关，所述至少一个开关连接在所述参考电压输入端子和所述第二输出端子之间，并且被设置成传导状态；以及

输出部件，所述输出部件输出所述第一输出端子和第二输出端子之间的差分电势。

2.根据权利要求1所述的模拟多路复用器，其中：

所述第一输出端子将包含来自所述多个输入端子的一个选择的输入信号和串扰分量的第一输出信号输出至所述第一输出端子；以及

所述第二输出端子输出包含与所述串扰分量相同的分量的第二输出信号。

3.根据权利要求1所述的模拟多路复用器，其中，如果所述多个输入端子的数目是“n”，其中n≥2，则：

所述第一开关部件包括n个开关，所述n个开关中的每一个各自连接在所述输入端子中的一个和所述第一输出端子之间；以及

所述第二开关部件包括n个开关，所述n个开关中的每一个各自连接在所述输入端子中的一个与所述第二输出端子之间。

4.根据权利要求2所述的模拟多路复用器，其中，如果所述多个输入端子的数目是“n”，其中n≥2，则：

所述第一开关部件包括n个开关，所述n个开关中的每一个各自连接在所述输入端子中的一个与所述第一输出端子之间；以及

所述第二开关部件包括n个开关，所述n个开关中的每一个各自连接在所述输入端子中的一个与所述第二输出端子之间。

5.根据权利要求1所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由N沟道MOS晶体管形成。

6.根据权利要求2所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由N沟道MOS晶体管形成。

7.根据权利要求3所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由N沟道MOS晶体管形成。

8.根据权利要求4所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由N沟道MOS晶体管形成。

9.根据权利要求1所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由P沟道MOS晶体管形成。

10.根据权利要求2所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由P沟道MOS晶体管形成。

11.根据权利要求3所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由P沟道MOS晶体管形成。

12.根据权利要求4所述的模拟多路复用器，其中在所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的开关由P沟道MOS晶体管形成。

13.根据权利要求1所述的模拟多路复用器，其中通过并联连接N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管形成所述第一开关部件、所述第二开关部件、所述第三开关部件以及所述第四开关部件中包括的每一个开关。