[发明专利]芯片的统计数据的管理方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910132324.X 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN101515898A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 杨雄;李新慧;彭晓澎;谭锐 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H04L12/56 分类号: H04L12/56;G06F12/08
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人: 郑立明
地址: 518129广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 统计数据 管理 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种统计数据的管理方法,其特征在于,包括:

获取转发芯片的统计数据的统计值,将所述统计值写入到静态随机存储 器SRAM中,其中,所述SRAM被划分为不同的存储单元,每个存储单元中存 储一对计数器,每个计数器分别存储一个流量的包数或字节数的统计值;

读出SRAM的存储单元中的一对计数器中的每个计数器上已有的统计 值,将所述已有的统计值和需要写入每个计数器的统计值进行累加,得到每 个计数器对应的累加值;

判断所述存储单元中至少一个计数器对应的累加后的统计值是否超出了 预设值,如果是,则将所述存储单元中的每个计数器对应的累加值都写入到 对应的缓存单元中,并将所述存储单元中的一对计数器清零;否则,在所述 存储单元的每个计数器上写入该计数器对应的累加值,以作为所述SRAM的 存储单元的统计值;

按照预先设定的搬移周期,将所述SRAM的存储单元中存储的统计值, 以及对应的缓存单元中存储的统计值搬移到动态随机访问存储器DRAM中的 存储单元中,并将所述SRAM的存储单元和对应缓存单元中存储的统计值清 零。

2.根据权利要求1所述的统计数据的管理方法,其特征在于,所述的 SRAM包括:四倍数据速率同步静态随机存储器QDR SSRAM或双倍数据速 率同步静态随机存储器DDR SSRAM,所述的DRAM包括:低延迟动态随机 访问存储器RLDRAM或双倍数据速率同步动态随机访问存储器DDR SDRAM。

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