[发明专利]脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置

权利要求书

1.一种多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其包含：

一工艺腔体；

一真空泵，以抽出所述工艺腔体内的气体与控制压力；

一气体供应装置，以供应工艺气体并控制其流量；以及

多个第一电极板与对应的多个第二电极板，以交错排列且彼此平行的方式设置于所述工艺腔体内，以提供解离所述工艺气体所需的电场，产生等离子体，其中在所述多个第一电极板与所述多个第二电极板上设置有一基板。

2.如权利要求1所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其进一步包含一加热装置。

3.如权利要求2所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述加热装置为快速退火热装置、脉冲快速退火装置或电热阻丝。

4.如权利要求2所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述加热装置是使所述工艺腔体内产生辐射加热。

5.如权利要求2所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述加热装置是设置于所述第一电极板或所述第二电极板上的加热器。

6.如权利要求5所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述加热器与所述第一电极板或所述第二电极板之间具有一绝缘装置。

7.如权利要求6所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述绝缘装置为玻璃板。

8.如权利要求1所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述第一电极板与所述第二电极板是垂直设置于所述工艺腔体中。

9.如权利要求1所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其具有1至8对所述第一电极板与所述第二电极板、4至32片所述基板。

10.如权利要求9所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其具有5对所述第一电极板与所述第二电极板。

11.如权利要求1所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置，其中所述第一电极板与所述第二电极板是固定于一载盘上。

12.一种将如权利要求1所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置用于制备薄膜太阳能电池的方法，其包含以下步骤：

(a)在所述基板上形成一p型薄膜层；

(b)在所述p型薄膜层上形成一i型薄膜层；以及

(c)在所述i型薄膜层上形成一n型薄膜层；

其中所述(a)至(c)步骤是在同一工艺腔体内进行。

13.一种将如权利要求2所述的多匣式等离子体辅助化学气相沉积装置用于制备薄膜太阳能电池的方法，其包含以下步骤：

(a)在所述基板上形成一p型薄膜层；

(b)在所述p型薄膜层上形成一i型薄膜层；以及

(c)在所述i型薄膜层上形成一n型薄膜层；

其中所述(a)至(c)步骤是在同一工艺腔体内进行。

14.如权利要求13所述的方法，其中在所述步骤(a)～(c)中，所述加热装置是将所述工艺腔体内的温度加热至200℃至900℃。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述步骤(a)的工艺气体为硅化合物并混合氢气、氮气或其组合物；掺杂元素为硼、铝、镓、铟、铊或其组合物。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述步骤(b)的工艺气体为硅化合物并混合氢气、氮气或其组合物。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述加热装置是使p型、i型及n型薄膜层中形成非晶型结构、微晶型结构、纳米晶型结构或其组合。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述步骤(c)的工艺气体为硅化合物；掺杂物为氮、磷、鍗或其组合物。