[发明专利]发光二极管光源模块无效
申请号: | 200910132637.5 | 申请日: | 2009-03-30 |
公开(公告)号: | CN101852345A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 陈锡铭;李玟良;朱长信;王星贸 | 申请(专利权)人: | 奇力光电科技股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V29/00;F21V19/00;F21V23/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 光源 模块 | ||
1.一种发光二极管光源模块,其特征在于,至少包含:
一导热基板,其中该导热基板的一表面包含多个凹槽;
多个发光二极管芯片,分别设在该些凹槽中;
至少一绝缘层,设于该些凹槽外的该导热基板的该表面上;
至少一导电层,设于该至少一绝缘层上,其中该些发光二极管芯片与该至少一导电层电性连接;
一封装胶体层,覆盖在该些发光二极管芯片、该至少一导电层与该至少一绝缘层上;以及
一透光基板,设于该封装胶体层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块,其特征在于,每一该些发光二极管芯片至少包含:
一基板;
一第一电性半导体层,设于该基板上;
一发光层,设于部分的该第一电性半导体层上;
一第二电性半导体层,设于该发光层上,其中该第二电性半导体层与该第一电性半导体层具不同电性;
一第一电极,设于另一部分的该第一电性半导体层上;以及
一第二电极,设于该第二电性半导体层上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该些发光二极管芯片嵌设在该导热基板的该表面的该些凹槽中。
4.根据权利要求3所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该第一电性半导体层与该至少一绝缘层同高。
5.根据权利要求3所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该导热基板至少包括:
一金属基板;以及
一导电复合层,设于该金属基板上,其中该些发光二极管芯片设于该导电复合层上。
6.根据权利要求2所述的发光二极管光源模块,其特征在于,还至少包括一荧光层设于该些发光二极管芯片与该透光基板之间。
7.根据权利要求6所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该荧光层设于该透光基板的一底面上,并与该些发光二极管芯片相面对。
8.根据权利要求7所述的发光二极管光源模块,其特征在于,还至少包括一抗反射层,其中该荧光层夹设在该透光基板的该底面与该抗反射层之间。
9.根据权利要求7所述的发光二极管光源模块,其特征在于,还至少包括一抗反射层夹设在该透光基板的该底面与该荧光层之间。
10.根据权利要求6所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该荧光层覆盖在该些发光二极管芯片与该导热基板上。
11.根据权利要求10所述的发光二极管光源模块,其特征在于,还至少包括一抗反射层设在该透光基板的一底面上。
12.根据权利要求2所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该些发光二极管芯片设于每一该些凹槽的一底面上且与每一该些凹槽的一侧面分开。
13.根据权利要求12所述的发光二极管光源模块,其特征在于,每一该些发光二极管芯片还包含一共晶接合层覆盖在该基板的底面上,以使该些发光二极管芯片与该导热基板共晶接合。
14.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该透光基板包含一光学结构,且该光学结构包括多个凸透镜、多个棱镜、或一表面喷沙结构。
15.根据权利要求1所述的发光二极管光源模块,其特征在于,该至少一绝缘层包含互相堆叠的多个绝缘层,且该至少一导电层包含互相堆叠的多个导电层,其中该些导电层与该些绝缘层对应且分别设于对应的该些绝缘层上。
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