[发明专利]主动式像素传感器电路及其操作方法

权利要求书

1.一种主动式像素传感器电路，其特征在于，包含：

一重置线，用于提供一重置信号；

一列选择线，用于提供一列选择信号；

一第一供应电压线，用于提供一第一供应电压；

一第二供应电压线，用于提供一第二供应电压；

一行读出线，用于输出一光电信号；

一重置晶体管，具有：

一栅极，电耦合至该重置线；

一源极；以及

一漏极，电耦合至该第一供应电压线；

一光电二极管，具有：

一阳极，电耦合至该列选择线；以及

一阴极，电耦合至该重置晶体管的源极；

一积分电容器，具有：

一第一终端，电耦合至该列选择线；以及

一第二终端，电耦合至一节点N1，该节点N1电耦合至该重置晶体管的源极；以及

一读出晶体管，具有：

一栅极，电耦合至该节点N1；

一源极，电耦合至一节点N2处的该行读出线；以及

一漏极，电耦合至该第二供应电压线。

2.根据权利要求1所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，该重置晶体管与该读出晶体管为一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，还包含一偏压电流源，该偏压电流源具有：

一第一终端，以接收该第一供应电压；以及

一第二终端，电耦合至该行读出线。

4.根据权利要求1所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，还包含一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，该N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管具有：

一栅极，以接收一控制信号Vb；

一源极，以接收该第一供应电压；以及

一漏极，电耦合至该行读出线。

5.根据权利要求1所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，还包含：

一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，具有：

一栅极，以接收一控制信号；

一源极，以接收该第一供应电压；以及

一漏极，电耦合至该行读出线；以及

一电容器，具有一第一终端及一第二终端，该第一终端以及该第二终端分别电耦合至该N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极以及该漏极。

6.根据权利要求1所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，该重置信号与该列选择信号为一脉冲，该脉冲具有一低电压与一高电压，该列选择信号的该脉冲为该重置信号的该脉冲偏移一时间周期。

7.一种主动式像素传感器电路，其特征在于，包含：

一重置晶体管，具有一栅极、一源极以及一漏极；

一光电二极管，具有一阳极及一阴极，该阴极电耦合至该重置晶体管的该源极；

一积分电容器，具有一第一终端以及一第二终端，该第二终端电耦合至一节点N1，该节点N1电耦合至该重置晶体管的该源极；及

一读出晶体管，具有一源极、一漏极以及一栅极，该栅极电耦合至该节点N1。

8.根据权利要求7所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，还包含：

一重置线，电耦合至该重置晶体管的该栅极，该重置线用于提供一重置信号；

一列选择线，电耦合至该光电二极管的该阳极与该积分电容器的该第一终端，该列选择线用于提供一列选择信号；

一第一供应电压线，电耦合至该重置晶体管的该漏极，该第一供应电压线用于提供一第一供应电压；

一第二供应电压线，电耦合至该读出晶体管的该漏极，该第二供应电压线用于提供一第二供应电压；以及

一行读出线，电耦合至该读出晶体管的该源极，该行读出线输出该光电二极管受光线照射所产生的一光伏打信号(photovoltaic signal)。

9.根据权利要求8所述的主动式像素传感器电路，其特征在于，该重置信号与该列选择信号各为一脉冲，该脉冲具有一低电压与一高电压，且该列选择信号的该脉冲为该重置信号的该脉冲偏移一时间周期。