[发明专利]一种在集成电路片中实现断路点定位的方法、装置和系统无效
申请号: | 200910132683.5 | 申请日: | 2009-04-07 |
公开(公告)号: | CN101533067A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 张见 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/303 | 分类号: | G01R31/303;G01R31/311;G01R31/02 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 彭愿洁;李文红 |
地址: | 518129广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 片中 实现 断路 定位 方法 装置 系统 | ||
技术领域
本发明涉及时间域反射测试技术领域,特别涉及一种在集成电路片中实现断路点定位的方法、装置和系统。
背景技术
时间域反射测试技术(Time Domain Reflectometry technology,TDR)是一种检测和分析电磁波与信号的行程和反射特性的方法。20世纪30年代,人们就开始研究时间域反射测量技术。在20世纪60年代,此技术开始用于确定电缆断裂和卷曲。在20世纪60年代后期和70年代早期,此技术第一次应用到化学工业。直到1980年,此技术才有了新突破,尤其是在地球科学方面,该技术开始用于确定地下体积含水量。今天,TDR技术已经用来测量长度和确定干扰源,还用来测量水分、电导率和填充液位。
如图1所示,在一个通信设备中,集成电路片A和集成电路片B的两点通过一对双绞线或印刷电路板(Printed circuit Board,PCB)连线相连,如果其中有一个点C发生断路故障,这时可以通过回环测试来确定是否发生了断路故障。
发明人在实现本发明的过程中发现现有技术存在以下问题:回环测试可以检测到链路发生了断路故障,但不能定位断路点的位置。
发明内容
本发明实施例要解决的技术问题是提供一种在集成电路片中实现断路点定位的方法、装置和系统,能够定位断路点。
为解决上述技术问题,本发明所提供的在集成电路片中实现断路点定位的方法实施例可以通过以下技术方案实现:
集成电路片发送阶跃脉冲信号,接收阶跃脉冲信号的返回信号;
集成电路片计量从所述阶跃脉冲信号发送的时刻到接收到所述返回信号的时刻之间的时间,作为断点时间;
集成电路片根据所述断点时间,和阶跃脉冲信号在通信线路中的传输速度,计算集成电路片到断路点的距离。
本发明实施例还提供了一种集成电路片,包括:
阶跃脉冲信号生成单元,用于产生阶跃脉冲信号;
阶跃脉冲信号发送单元,用于发送阶跃脉冲信号;
阶跃脉冲信号接收单元,用于接收阶跃脉冲信号的返回信号;
时间获取单元,用于计量从所述阶跃脉冲信号发送的时刻到接收到所述返回信号的时刻之间的时间,作为断点时间;
距离计算单元,用于根据所述断点时间,和阶跃脉冲信号在通信线路中的传输速度,计算集成电路片到断路点的距离。
本发明实施例还提供了另一种集成电路片,包括:
阶跃脉冲信号生成单元,用于产生阶跃脉冲信号;
阶跃脉冲信号发送单元,用于发送阶跃脉冲信号;
阶跃脉冲信号接收单元,用于接收阶跃脉冲信号的返回信号;
时间获取单元,用于计量从所述阶跃脉冲信号发送的时刻到接收到所述返回信号的时刻之间的时间,作为断点时间;
计算数据发送单元,用于发送所述断点时间。
本发明实施例还提供了一种断路定位设备,包括:
时间接收单元,用于接收来自集成电路片的断点时间;所述断点时间为,所述集成电路片发送阶跃脉冲信号的时刻到所述集成电路片接收到所述阶跃脉冲信号的返回信号的时刻之间的时间;
速度获取单元,用于获取阶跃脉冲信号在通信线路中的传输的速度;
距离计算单元,用于根据所述断点时间,和阶跃脉冲信号在通信线路中的传输的速度,计算集成电路片到断路点的距离。
本发明实施例还提供了一种断路定位系统,包括:
集成电路片,用于发送阶跃脉冲信号,接收阶跃脉冲信号的返回信号;计量从所述阶跃脉冲信号发送的时刻到接收到所述返回信号的时刻之间的时间,作为断点时间;向断路定位设备发送所述断点时间;
断路定位设备,用于接收所述断点时间;获取阶跃脉冲信号在通信线路中的传输的速度;根据所述断点时间,和阶跃脉冲信号在通信线路中的传输的速度,计算集成电路片到断路点的距离。
上述技术方案具有如下有益效果:集成电路片通过发送阶跃脉冲信号,然后根据阶跃脉冲信号从发送到返回需要的时间,和阶跃脉冲信号在连接线中的传输的速度,计算出集成电路片到故障点的距离,从而实现了断路点的定位。
附图说明
图1为现有技术回环测试环境示意图;
图2为本发明实施例一方法流程示意图;
图3为本发明实施例一方法的应用场景示意图;
图4为本发明实施例一方法应用场景的局部示意图;
图5为本发明实施例二方法流程示意图;
图6为本发明实施例三方法流程示意图;
图7为本发明实施例四集成电路片结构示意图;
图8为本发明实施例五集成电路片结构示意图;
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