[发明专利]连续生产铜铟镓硫软体薄膜式太阳能电池组件的方法

说明书

技术领域：

本发明涉及一种利用磁控溅射真空镀膜连续生产铜铟镓硫软体簿膜式太阳能电池组件技术。具体是一种由多台磁控溅射真空镀膜机组合为一机的连续制备软体簿膜式太阳能电池组件的方法。

技术背景：

现有技术；将软体的带状金属或塑胶基材箔卷材，剪切成段，送入真空杂物清理室并将基材带箔加热到200-300℃，利用等离子或辉光放电法进行表面杂物清理后，取出基材带箔再送入绝缘膜磁控溅射真空室”。采用二氧化硅或二氧化钛合金靶材用磁控溅射法在基材带箔上板表面溅镀二氧化硅或二氧化钛绝缘膜后，取出基材带箔送入背电极磁控溅射真空室。采用铜钼合金靶材，应用磁控溅射法，溅镀铜钼合金背电极膜。取出基材带箔再进行激光刻蚀划线后，取出基材带箔，送入铜铟镓磁控溅射真空室，采用铜铟镓合金靶材，应用磁控溅射法，溅镀铜铟镓合金膜。取出基材带箔，再送入硫化结晶炉内，进行硫化结晶。即完成了P型半导体簿膜的制备。取出基材带箔再送入“n型半导体层磁控溅射真空室”。采用ZnS硫化锌合金靶材，使用磁控溅射法在铜铟镓硫P型半导体基材带箔上表面溅镀硫化锌n型半导体膜。此段已形成了P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔。

溅镀后的P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔，取出基材带箔送入上电极透明导电层ICO膜磁控溅射真空室。采用二氧化锡合金靶材，使用磁控溅射法在P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔表面上，溅镀二氧化锡上电极透明导电ICO膜。。

溅镀透明导电ICO膜后的基材带箔取出基材带箔，再进入净化空气的激光刻蚀机，刻蚀电极后，剪切成各种单元功率的铜铟镓硫太阳能电池组件再送入透明氟化镁减反射膜磁控溅射真空室”。采用氟化镁合金靶材，使用磁控溅射法，溅镀透明氟化镁减反射膜。继而进入真空封装室，封装透明保护膜后再进入冷却室，冷却到50℃以下的成品铜铟镓硫太阳能电池组件。

发明内容；

本发明的目的是；克服上述间歇式生产的缺点，提供一种连续生产，并能提高大规模生产效率、保证产品质量的制备方法。

本发明的具体内容；

本发明一种连续生产软体簿膜式铜铟镓硫太阳能电池的方法其特征在于；将软体的带状卷材金属或塑胶基材箔，以始端开始连续均速输送入真空连续隧道室第一段“杂物清理段”，并将基材带箔加热到200-300℃，利用等离子或辉光放电法进行表面杂物清理后，用真空隔离窄缝伐隔离。基材带箔以均速行走进入真空连续隧道室第二段“绝缘膜磁控溅射真空室”。采用二氧化硅或二氧化钛合金靶材用磁控溅射法在基材带箔上表面，溅镀二氧化硅或二氧化钛绝缘膜。再用真空隔离窄缝伐隔离。基材带箔继续以均速行走进入真空连续隧道室第三段“背电极磁控溅射真空室”。

沿基材带箔行走方向即在背电极层磁控溅射室纵向，基材带箔上表面设定的距离内，平行设置多个两端头张紧的镀膜遮挡线，用于在溅镀背电极膜时，遮挡背电极铜钼合金膜，不再溅镀在基材带箔的绝缘层表面，替代原激光刻蚀划线工序。

采用铜钼合金靶材，应用磁控溅射法，在基材带箔的绝缘层表面溅镀铜钼合金背电极膜

溅镀并遮挡划线后的铜钼合金背电极基材带箔，通过真空隔离窄缝伐隔离。续以均速行走进入真空连续隧道室第四段“铜铟镓磁控溅射真空室”，为防止氧化在抽真空前先通入氢气和氩气。采用铜铟镓合金靶材，应用磁控溅射法，溅镀铜铟镓合金膜。

溅镀铜铟镓合金膜的基材带箔，通过真空隔离窄缝伐隔离。继续均速行走进入往复式硫化结晶炉内，进行硫化结晶。硫化介质为H₂S气体或者S粉的低温炉中进行硫化处理，利用氩气作载气，硫化温度；350--450℃。溅镀铜铟镓合金膜的基材带箔在硫化炉内往复行走时间为10-20分钟后，通过真空隔离窄缝伐隔离，连续均速进入往复式冷却室。将硫化结晶后的铜铟镓硫基材带箔冷却到200-250℃，即完成了P型半导体簿膜的制备。通过真空隔离窄缝伐再送入真空连续隧道室第五段“n型半导体层磁控溅射真空室”。采用ZnS硫化锌合金靶材，使用磁控溅射法在铜铟镓硫P型半导体基材带箔上表面溅镀硫化锌n型半导体膜。此段已形成了P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔。

溅镀后的P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔，通过真空隔离窄缝伐再送入真空连续隧道室第六段“上电极透明导电层ICO膜磁控溅射真空室”。采用二氧化锡合金靶材，使用磁控溅射法在P-n结铜铟镓硫半导体膜基材带箔表面上，溅镀二氧化锡上电极透明导电ICO膜。