[发明专利]分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法

权利要求书

1.一种分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，包括下列步骤：

形成一光刻图案于该上表层，暴露一介于欲分离的相邻裸片间的区域；

于该晶片基材中蚀刻该暴露区域至一深度以形成一蚀刻图案，使该蚀刻图案的底部大体上低于该晶片基材上表层，其中该深度大于该晶片基材厚度一半，其中该蚀刻图案的底部与晶片基材的一背表面之间的距离为200～350μm；以及

自该上表层直接照射一激光光束到该晶片基材的该蚀刻图案裸露的底部，用以切穿该晶片基材和分离所述多个裸片。

2.如权利要求1所述的分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，其中该晶片基材择自于以下所构成的群族：

砷化镓、砷磷化镓、磷化铟、磷化镓、砷铝化镓、磷铟化镓、氮化镓、氮化铟镓、于蓝宝石上的氮化镓/氮化铟镓、硅、锗、硅化锗、印刷电路板，以及上述的组合。

3.如权利要求1所述的分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，其中该半导体元件择自于以下所构成的群族：

发光二极管、有源元件、无源元件、集成电路、无线通信射频集成电路、微波微线条元件、光电元件、微机电系统，以及上述的组合。

4.如权利要求1所述的分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，其中该蚀刻是一等离子体蚀刻工艺，其中该蚀刻图案于晶片中延伸至一深度，大体上深于埋设有LED元件的上表层。