[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底中形成脆弱区域；

将所述单晶半导体衬底贴合并固定到衬底；

通过加热所述单晶半导体衬底在所述脆弱区域中产生裂缝，以从 所述单晶半导体衬底的一部分进行分离而形成半导体层，其中所述半 导体层贴合到所述衬底；

对所述半导体层照射激光束而将所述半导体层再晶化；

从所述半导体层形成第一岛状半导体层和第二岛状半导体层，其 中所述第一岛状半导体层的厚度薄于所述第二岛状半导体层的厚度；

将赋予n型导电型的杂质元素添加到所述第一岛状半导体层的一 部分中而形成源区域和漏区域；以及

将赋予p型导电型的杂质元素添加到所述第二岛状半导体层的一 部分中而形成源区域和漏区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其还包括如下 步骤：即形成具有所述第一岛状半导体层的n型晶体管和具有所述第二 岛状半导体层的p型晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其还包括如下 步骤：即进行热处理而更有效地使所述衬底和所述单晶半导体衬底彼 此粘合。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中通过对与 所述衬底和所述单晶半导体衬底的粘合有关的区域照射微波而进行所 述热处理。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其还包括如下 步骤：即在所述第一和所述第二岛状半导体层的所述源区域和所述漏 区域中形成金属硅化物层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中包含在所 述金属硅化物层中的金属选自由钛、镍、钨、钼、钴、锆、铪、钽、 钒、钕、铬、铂和钯构成的组中。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底中形成脆弱区域；

将所述单晶半导体衬底贴合并固定到衬底；

通过加热所述单晶半导体衬底在所述脆弱区域中产生裂缝，以从 所述单晶半导体衬底的一部分进行分离而形成半导体层，其中所述半 导体层贴合到所述衬底；

对所述半导体层照射激光束而将所述半导体层再晶化；

将所述半导体层分离成第一岛状半导体层和第二岛状半导体层；

通过使用掩模对所述第一岛状半导体层进行蚀刻，而使所述第一 岛状半导体层的厚度薄于所述第二岛状半导体层的厚度；

通过使用所述掩模将赋予n型导电型的杂质元素添加到所述第一 岛状半导体层的一部分中而形成源区域和漏区域；以及

将赋予p型导电型的杂质元素添加到所述第二岛状半导体层的一 部分中而形成源区域和漏区域。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其还包括如下 步骤：即形成具有所述第一岛状半导体层的n型晶体管和具有所述第二 岛状半导体层的p型晶体管。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其还包括如下 步骤：即进行热处理而更有效地使所述衬底和所述单晶半导体衬底彼 此粘合。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中通过对与 所述衬底和所述单晶半导体衬底的粘合有关的区域照射微波而进行所 述热处理。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其还包括如下 步骤：即在所述第一和所述第二岛状半导体层的所述源区域和所述漏 区域中形成金属硅化物层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中包含在 所述金属硅化物层中的金属选自由钛、镍、钨、钼、钴、锆、铪、钽、 钒、钕、铬、铂和钯构成的组中。