[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，具有一个面；

低介电常数膜布线层叠构造部，设置在上述半导体基板的上述一个面 上的除去周边部以外的区域，由相对介电常数为3.0以下的低介电常数膜和 布线的层叠构造构成；

绝缘膜，设置在上述低介电常数膜布线层叠构造部上；

电极用连接焊盘部，设置为在上述绝缘膜上与上述低介电常数膜布线 层叠构造部的布线连接；

外部连接用凸起电极，设置在上述电极用连接焊盘部上；

密封膜，设置在上述半导体基板的周侧面、上述低介电常数膜布线层 叠构造部的周侧面、上述绝缘膜的周侧面以及上述外部连接用凸起电极的 周围的上述绝缘膜上，由有机树脂构成；以及

下层保护膜，至少设置在上述半导体基板的下表面，由有机树脂构成；

上述半导体基板具有位于上述一个面侧的上部和位于与上述一个面相 反侧的另一个面侧的下部；上述下部的周侧面形成为随着从上述上部的周 侧面向上述半导体基板的上述另一个面而逐渐向上述半导体基板(1)的内 侧倾斜。

2.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

上述低介电常数膜的玻璃化转变温度为400℃以上。

3.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

上述下层保护膜设置在上述半导体基板的下表面、以及在上述半导体 基板的周侧面设置的上述密封膜的下表面。

4.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘膜包括由无机材料构成的钝化膜以及设置在该钝化膜之上的 由有机树脂构成的上层保护膜。

5.如权利要求4所记载的半导体装置，其特征在于，

上述钝化膜及上述低介电常数膜布线层叠构造部的侧面实质上形成一 个面。

6.如权利要求5所记载的半导体装置，其特征在于，

上述上层保护膜的侧面被配置在上述钝化膜的侧面的内侧。

7.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

在上述绝缘膜上形成有具有上述电极用连接焊盘部的上层布线。

8.如权利要求7所记载的半导体装置，其特征在于，

在上述上层布线的连接焊盘部上形成的上述外部连接用凸起电极是柱 状电极。

9.如权利要求8所记载的半导体装置，其特征在于，

在上述柱状电极上设有焊锡球。

10.如权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，

上述低介电常数膜包含具有Si-O结合和Si-H结合的聚硅氧烷类材料、 具有Si-O结合和Si-CH₃结合的聚硅氧烷类材料、碳掺杂氧化硅的低k材料 的任一种，或者包含作为氟掺杂氧化硅、硼掺杂氧化硅、氧化硅的任一种 且为多孔型的材料。