[发明专利]多晶硅棒的制造方法有效
| 申请号： | 200910132968.9 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101565185A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 水野亨彦;黑谷伸一;祢津茂义;小黑晓二 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅棒的制造方法，通过CVD法使硅析出到硅芯线上 来制造多晶硅棒，其特征在于，使用从单晶硅锭切出的硅部件作为所 述硅芯线，并且所述硅芯线按照该芯线的侧面相对于所述单晶硅锭的 晶体习性线形成5度至40度范围的角度的方式切出，
所述单晶硅锭为通过简称为CZ法的切克劳斯基法或简称为FZ法 的悬浮区熔法培育而成的单晶硅锭，该单晶硅锭的结晶生长轴方位以 密勒指数记为<100>或<111>。
2.如权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述单晶硅 锭通过切克劳斯基法即CZ法培育而成，具有7ppma至20ppma的晶格 间氧浓度。
3.如权利要求2所述的多晶硅棒的制造方法，其中，所述晶格间 氧浓度为17ppma至20ppma。
4.如权利要求1～3中任一项所述的多晶硅棒的制造方法，其特征 在于，所述硅芯线的表面在从所述单晶硅锭切出后，以50μm至200μm 的加工量实施蚀刻处理。
5.如权利要求1～3中任一项所述的多晶硅棒的制造方法，其中， 所述CVD法的硅的析出在由三氯硅烷、即TCS和氢构成的气体氛围下 进行。
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