[发明专利]半导体装置

说明书

本申请基于日本专利申请No.2008-096918，其内容通过引用结合 于此。

技术领域

本发明涉及一种提供有电熔丝的半导体装置。

背景技术

已知传统的半导体装置，在所述传统的半导体装置中安装熔丝使 得能够进行处理，例如可以切断熔丝来调节电阻值或分离缺陷元件， 因而，所述缺陷元件用正常元件来代替。

为了提供可以进行这种处理的高可靠的半导体装置，需要无误切 断该熔丝。因此，提出了在日本特开专利公布2005-57186中公开的 熔丝。

如图5所示，日本特开专利公布2005-57186公开了一种具有电 流流入端902、电流流出端901、一对熔断通孔部903和904以及电极 衬垫905的熔丝。

当电流流过电流流入端902和电流流出端901之间的熔丝时，该 对熔断通孔部903和904中的任一个被熔断。

因而，提供一对熔断通孔部903和904，使得在形成电流流过时 会熔断的两个区域，使得可以无误地切断熔丝，并且考虑半导体装置 的可靠性高。

这里，在图5中，标记906指示半导体基板，并且907和908指 示层间绝缘膜。

本发明人认识到如下事实。在日本特开专利公布2005-57186中 描述的技术仍然具有下面的问题。

当电流在电流流入端902和电流流出端901之间流动时，电子以 相对于通孔的上下方向而不同的方向流入该对熔断通孔部903和904 中。因而，在电子流入方向不同的情况下，切断状态在熔断通孔部903 和904之间是不同的，并且因此，在熔丝切断之后电阻值可能会不一 致。

在熔断通孔部903或904通过电迁移被切断的情况下，例如，如 图6A所示，当一个熔断通孔部904被切断时，在电极衬垫905附近的 熔断通孔部904中形成一个空隙B。空隙B被形成为使得形成电极衬 垫905的导体不能向熔断通孔部904移动，因为电极衬垫905被阻挡 金属(未示出)覆盖，并且由此电极衬垫905本身不会被切断，并且 形成熔断通孔部904的导体被推动。

在另一个熔断通孔部903被切断的情况下，如图6B所示，在熔断 通孔部903附近的电极衬垫905中形成空隙B。

由此，切断状态在熔断通孔部903和904之间可以是不同的，并 且另外，切断的容易度不同，并且因此，在熔丝切断之后可能会存在 电阻值不一致。

这里，不仅在通孔通过电迁移被熔断的情况下，而且在根据所谓 的“裂缝辅助法”切断通孔的情况下，存在由于在电流流动方向上的差异 导致的熔丝被切断后电阻值的不一致。

发明内容

在一个实施例中，提供一种半导体装置，具有：基板；以及在基 板上提供的第一电熔丝和第二电熔丝，其中第一电熔丝具有：在不同 布线层中形成的第一上层布线和第一下层布线；以及用于连接第一上 层布线和第一下层布线的通孔，第二电熔丝具有：在不同布线层中形 成的第二上层布线和第二下层布线；以及用于连接第二上层布线和第 二下层布线的通孔，半导体装置包括用于将第一电熔丝的第一上层布 线连接到第二电熔丝的第二下层布线的连接部，以及第一电熔丝和第 二电熔丝经由连接部串联连接。

这里，用于将第一电熔丝连接到第二电熔丝的连接部是不用作熔 丝的部分，并且因而，在熔丝被切断时其不被切断。

根据本发明，连接部串联连接第一电熔丝和第二电熔丝，并且因 此，电子流过第一电熔丝和第二电熔丝的方向可以是相同的。

如上所述，在电子以不同的方向流过第一电熔丝和第二电熔丝的 情况下，切断状态可以由于电子在第一电熔丝和第二电熔丝之间流动 的影响而不同，由此存在熔丝被切断之后电阻值的不一致。

相反，根据本发明，电子流过第一电熔丝和第二电熔丝的方向是 相同的，并且因此切断状态在第一电熔丝和第二电熔丝之间是相同的， 并且在第一电熔丝和第二电熔丝之间切断的容易度也可以近似相同。

结果，在第一电熔丝被切断的状态和第二电熔丝被切断的状态之 间可以防止电阻值的不一致。结果，可以提供高可靠性的半导体装置。

根据本发明，第一电熔丝和第二电熔丝中可以仅一个被切断，或 者第一电熔丝和第二电熔丝这两者都被切断。因而，提供两个电熔丝， 使得这两者中的至少一个能够被切断，并因而提高了该半导体装置的 可靠性。