[发明专利]无Pb焊料连接结构和电子装置有效
| 申请号： | 200910133172.5 | 申请日： | 1998-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101604668A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 下川英惠;曾我太佐男;奥平弘明;石田寿治;中冢哲也;稻叶吉治;西村朝雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/60;H05K3/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨 楷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pb 焊料 连接 结构 电子 装置 | ||
1.一种适合无Pb焊料连接的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置包括引线和形成在上述引线的表面上的第1金属 层，
上述第1金属层是Sn-Bi系层，
上述第1金属层中Bi的含有量按重量百分比计是1％以上且5％ 以下。
2.根据权利要求1所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置，其 特征在于，上述引线是Cu系的引线架。
3.根据权利要求1所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置，其 特征在于，上述引线是Fe-Ni系合金引线架。
4.根据权利要求3所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置，其 特征在于，
在上述引线的上述表面上形成有第2金属层，
上述第1金属层形成在上述第2金属层上。
5.根据权利要求4所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置，其 特征在于，上述第2金属层是Cu层。
6.根据权利要求1所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置，其 特征在于，上述半导体装置是QFP(Quad Flat Package)型。
7.根据权利要求1所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置，其 特征在于，上述半导体装置是薄小外形封装型。
8.一种适合无Pb焊料连接的半导体装置的制造方法，其特征在 于，该方法包括以下工序：
准备具有引线和形成在上述引线的表面上的Sn-Bi系层的半导 体装置的工序；
经由无Pb焊料将上述半导体装置的上述引线与电路板的电极连 接的工序；和
在这里，上述Sn-Bi系层中Bi的含有量按重量百分比计是1％以 上且5％以下。
9.根据权利要求8所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置的制 造方法，其特征在于，上述无Pb焊料是Sn-Ag-Bi系焊料。
10.根据权利要求8所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置的 制造方法，其特征在于，上述Sn-Bi系层通过电镀、浸渍、蒸镀、或 滚压涂敷形成。
11.根据权利要求8所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置的 制造方法，其特征在于，上述引线是Cu系的引线架。
12.根据权利要求8所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置的 制造方法，其特征在于，上述引线是Fe-Ni系合金引线架。
13.根据权利要求12所述的适合无Pb焊料连接的半导体装置的 制造方法，其特征在于，
在上述引线的上述表面上形成有Cu层，
上述Sn-Bi系层形成在上述Cu层上。
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