[发明专利]层状结晶性物质、电极材料的制造方法及蓄电装置无效
申请号: | 200910133310.X | 申请日: | 2009-03-31 |
公开(公告)号: | CN101572314A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 盐崎龙二;丸山大介;安东信雄 | 申请(专利权)人: | 富士重工业株式会社 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层状 结晶 物质 电极 材料 制造 方法 装置 | ||
1.一种钒氧化物的层状结晶性物质,其用作正极活性物质,
其特征在于,
所述钒氧化物具有层状结晶性物质,所述层状结晶性物质具有层长小于100nm的微细晶粒。
2.根据权利要求1所述的钒氧化物的层状结晶性物质,其特征在于,
根据所述层状结晶性物质的从一个方向拍摄的多个截面照片各自的层状结晶性微粒的面积比例而计算出的层状结晶性微粒的平均面积比例大于或等于95%。
3.一种电极材料的制造方法,该电极材料使用可用作正极活性物质的层状结晶性钒,
其特征在于,
在大于或等于105℃~小于或等于500℃的范围内,对至少利用钒原料和锂原料制造出的非晶状态的钒氧化物进行加热。
4.根据权利要求3所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
所述层状结晶性钒是钒氧化物的层状结晶性物质,
所述钒氧化物具有层状结晶性物质,
所述层状结晶性物质具有层长小于100nm的微细晶粒。
5.根据权利要求3所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
在所述加热中,氧分压大于或等于0%~小于或等于100%。
6.根据权利要求3所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
在进行所述加热时,升温速度小于或等于10℃/分。
7.根据权利要求3所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
使用多种锂原料作为所述锂原料来制造所述非晶状态的钒氧化物。
8.根据权利要求7所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
所述钒氧化物是通过将所述多种锂原料和所述钒原料在水溶性溶剂中悬浊化,然后将所述悬浊液在惰性气氛下进行加热的工序而制造的。
9.根据权利要求7所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
所述钒氧化物是通过将所述多种锂原料与所述钒原料进行熔化,然后进行急冷的工序而制造的。
10.根据权利要求3至9中任意一项所述的电极材料的制造方法,其特征在于,
作为初始原料的非晶状态的钒氧化物,在制造工序的进行过程中所述非晶状态减少,层状结晶性物质增大。
11.一种蓄电装置,其特征在于,
具有使用活性物质的电极,该活性物质是根据权利要求3至9中任意一项所述的电极材料的制造方法而制造的。
12.根据权利要求11所述的蓄电装置,其特征在于,
所述活性物质使用权利要求1或2所述的层状结晶性物质。
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