[发明专利]一种高稳定性能透明导电膜用AZO溅射靶材及制造方法

权利要求书

1.一种高稳定性能透明导电膜用AZO溅射靶材，其特征在于：所用的原料粉体中，Al₂O₃的含量为2～3wt％，和B₂O₃含量0.1-3wt％，余量为ZnO粉体；粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。

2.根据权利要求1所述的高稳定性能透明导电膜用AZO溅射靶材，其特征在于：所述的原料粉体为ZnO/Al₂O₃/B₂O₃的充分混合粉体或化学共沉淀粉体。

3.权利要求1所述的高稳定性能透明导电膜用AZO溅射靶材的制造方法，其特征在于，采用以下步骤：

A.以纯度大于或等于4N、平均粒径0.05-50微米的ZnO粉作为靶材主原料，搀杂重量比2～3wt％平均粒径0.05-50微米Al₂O₃和0.1-3wt％平均粒径0.05-50微米B₂O₃高纯粉体；

B.将以上粉体与20-50％重量的去离子纯水混和，加入0.1-0.5wt％的三乙醇胺作为有机助剂，用球磨机球磨混合16小时以上；

C.步骤B所得的浆料，加入0.8-1.5％聚乙烯醇作为有机粘接剂，然后球磨2-3小时；

D.对步骤C的产物进行喷雾干燥造粒处理，即得平均粒子径10-100微米的靶材原料；

E.将步骤D所得原料采用以下三种加工方式之一进行加工，得到相对密度大于50％的坯体：

E1.用金属模1-3吨/CM²的压力成型；

E2.冷等静压成型；

E3.凝胶注模成型；

F.将此坯体在空气炉中400-600摄氏度保温2-5小时脱除有机添加剂，升温到1250-1600摄氏度烧结致密，得到相对密度大于98％的陶瓷半导体，即得。

4.根据权利要求3所述的高稳定性能透明导电膜用AZO溅射靶材的制造方法，其特征在于：原料粉体为ZnO/Al₂O₃/B₂O₃的充分混合粉体或化学共沉淀粉体。