[发明专利]集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统

权利要求书

1.一种集成功率器件结构，包括：

混合二极管，其包括并联的肖特基二极管与场控制二极管；以 及

异质结场效应晶体管；

其中，所述混合二极管与所述异质结场效应晶体管集成于同一 III族氮化物半导体层之上；

其中，所述混合二极管与所述异质结场效应晶体管均包括形成 图形的区域，该区域中，永久性负电荷被引入到所述同一III族氮化 物半导体层中的较窄禁带部分之上的较宽禁带部分中。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述永久性负电荷包括 氟离子。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述较宽禁带部分是未 掺杂的。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述较宽禁带部分包含 AlGaN。

5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述较宽禁带部分包含 其上覆盖了GaN的AlGaN。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述较窄禁带部分包含 GaN。

7.一种集成功率器件，其包括：

III族氮化物半导体异质结构，其包括势垒层及位于其下的有源 层，所述势垒层与所述有源层具有不同的禁带；

第一结构区，其包括：

阳极，该阳极与所述半导体异质结构具有欧姆接触和第一 肖特基势垒接触；以及

阴极，该阴极与所述半导体异质结构具有欧姆接触；

第二结构区，其包括：

源极和漏极，该源极和漏极与所述半导体异质结构的分别 部分形成欧姆接触；以及

栅极，该栅极与所述半导体异质结构形成肖特基势垒接触， 且栅极位于所述源极与漏极之间；以及

分别的永久性陷阱电荷区，这些区位于所述第一结构区及第二 结构区中的所述肖特基势垒接触之下。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述永久性陷阱电荷包 括氟离子。

9.根据权利要求7所述的器件，其中，所述势垒层是未掺杂的。

10.根据权利要求7所述的器件，其中，所述势垒层包括AlGaN。

11.根据权利要求7所述的器件，其中，所述势垒层包含其上 覆盖了的GaN的AlGaN。

12.根据权利要求7所述的器件，其中，所述有源层包含GaN。

13.根据权利要求7所述的器件，其中，所述有源层位于一个 III族氮化物缓冲层之上，该III族氮化物缓冲层位于一个III族氮 化物成核层之上。