[发明专利]光刻装置及器件制造方法

说明书

本申请为2005年4月13日递交的发明名称为“光刻装置及器件制造方 法”的专利申请200510064163.7的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。

背景技术

光刻装置是将所需图案施加于基底目标部分上的一种装置。光刻装置 可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件例如掩模 可用于产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在具有一层 辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底(例如硅晶片)的目标部分上(例如包括 一部分，一个或者多个管芯)。一般地，单一的基底将包含相继曝光的相邻 目标部分的整个网格。已知的光刻装置包括所谓步进器，通过将整个图案 一次曝光到目标部分上而辐射每一目标部分，已知的光刻装置还包括所谓 扫描器，通过在投射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并 同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一目标部 分。

已经提出将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体 中，如水，从而填充投影系统的最后元件与基底之间的空间。这样能够对 较小的特征成像，因为曝光辐射在液体中具有较短的波长。(液体的作用也 可以被认为是增大系统的有效NA，也增大焦深。)还提议使用其他浸液， 包括有固体颗粒(例如石英)悬浮在其中的水。

但是，使基底或者基底和基底台浸没在液池中(例如参见美国专利US4, 509,852，该文献整体在此引入作为参考)意味着存在大量在扫描曝光过程 中必须被加速的液体。这可能需要附加的或更大功率的电动机，并且液体 中的湍流可能导致不希望且不可预知的结果。

所提出的解决方案之一是对于供液系统来说，利用供液系统只在基底 的局部区域上以及在投影系统的最后元件和基底中间提供液体(基底通常 具有比投影系统的最后元件更大的表面积)。已经提出的用于这种方案的一 种布置在公开PCT专利申请WO99/49504中公开，该文献整体在此引入 作为参考。如图2和3中所示，优选通过至少一个入口IN沿着基底相对于 最后元件的运动方向将液体供应到基底上，并且在流过投影系统下面之后 通过至少一个出口OUT排出。也就是，当沿-X方向扫描元件之下的基底时， 在元件的+X侧供应液体，并在-X侧收集。图2示意性地示出这种装置，其 中经入口IN供应液体，并且通过与低压源相连的出口OUT在元件的另一 侧收集液体。在图2的图解中，沿着基底相对于最后元件移动的方向供应 液体，尽管不必是这种情况。位于最后元件周围的入口和出口的各种定位 和数量都是可以的，图3示出的一个实施例中，在任一侧以环绕最后元件 的规则图案设置四组入口和出口。

如果浸液污染装置的敏感部件，那么浸液在光刻装置内部可能产生一 些问题。特别是具有局部区域供液系统的情况，因为如果这种供液系统出 故障，那么浸液很容易漏出。而且，如果局部区域供液系统无效，则浸液 可能遗留在基底台上，那么在基底台加速所产生的力的作用下可能留在基 底台上。

发明内容

因此，例如降低由湿浸式光刻投影装置中部件的液体引起的污染危险 是有利的。

根据一个方面，提供一种光刻装置，包括：

用于保持构图部件的支撑结构，所述构图部件用于给辐射光束的截面 赋予图案；

用于保持基底的基底台；

用于将带图案的光束投射到所述基底的目标部分上的投影系统；以及

用于向基底的局部区域、基底台或其两者供应液体的供液系统，以至 少部分地填充所述投影系统与所述基底、所述基底台或其两者之间的空间，

其中所述基底台包括用于收集液体的隔板，所述隔板环绕所述基底并 与所述基底分隔开，且所述隔板位于环绕所述基底外围边缘的排水沟的径 向外侧，所述排水沟设置在基底台中。

利用隔板，由供液系统溢出或者从供液系统漏出的液体可以被收集起 来，并且再循环，或者排出，而装置中的部件不会被漏出的液体污染。隔 板不需要占据基底台上很大的空间。这是有利的，因为基底台上的空间有 限，基底台做得尽可能小从而需要加速尽可能小的质量。