[发明专利]从电源VDD到IO管脚之间的一种新型NMOS箝位及其应用方法无效

专利信息
申请号: 200910133598.0 申请日: 2009-04-13
公开(公告)号: CN101859766A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 胡煜 申请(专利权)人: 苏州芯美微电子科技有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L23/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省昆*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电源 vdd io 管脚 之间 一种 新型 nmos 箝位 及其 应用 方法
【权利要求书】:

1.在电源VDD和IO管脚之间或在两条有着相同或不同电位的电源线之间使用一种NMOS。

2.权利要求1的VDD-NMOS设置由以下构件组成:1)带一个P-基底的芯片;2)在正常p-P阱上的第一n+区域;3)在该P阱中的第二n+区域,在两个第一第二n+区域之间的一个栅极;4)一个寄生的NPN结构包括:由第一n+扩散区形成的发射极,由p阱形成的寄生基底和由第二n+扩散区形成的集电极。

3.根据权利要求2,连接vdd-nmos的多晶栅极具有正常的N沟道注入。

4.根据权利要求1,此设置具有连接到地位的p-基底的基底引线。

5.权利要求1中的NMOS管其源端是接VDD的;而其漏端接输入输出管脚,或是任意不同电位的电源线。

6.权利要求5中的NMOS管其基底是悬浮的而且不和任意以个n+的扩散区相连接。

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