[发明专利]光学传感器与其制作方法以及具有光学传感器的显示面板

权利要求书

1.一种光学传感器，其特征在于，包括：

一第一电极；

一第二电极；

一感光富硅介电层，设置于该第一电极与该第二电极之间；以及

一第一界面富硅介电层，设置于该第一电极与该感光富硅富硅介电层之 间；

该感光富硅介电层的组成表示式为SiH_w1O_x1N_u1且1.05＜w1＜1.41，0.39 ＜x1＜0.47、0≤y1≤1.33；

该第一界面富硅介电层的组成表示式为SiH_w2O_x2N_y2，且1.15＜w2＜2.27， 0.29＜x2＜1.67、0≤y2≤1.33。

2.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该第一电极为一不 透明电极，且该第二电极为一透明电极。

3.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层 具有一阻抗值R1，且为5×10¹⁴Ω/□＜R1＜5×10¹⁷Ω/□，而该第一界面富硅 介电层具有一阻抗值R2，且为5×10¹⁷Ω/□＜R2＜5×10¹⁹Ω/□。

4.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层 具有一折射率n1，且为2.7＜n1＜3.4，而该第一界面富硅介电层具有一折射 率n2，且为2.2＜n2＜2.7。

5.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层 的厚度大于该第一界面富硅介电层的厚度。

6.根据权利要求5所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层 的厚度介于500埃至4000埃，且该第一界面富硅介电层的厚度介于5埃至500 埃。

7.根据权利要求1所述的光学传感器，其特征在于，另包括一第二界面 富硅介电层，设置于该感光富硅介电层与第二电极之间。

8.根据权利要求7所述的光学传感器，其特征在于，该第二界面富硅介 电层的组成表示式为SiH_w3O_x3N_y3，且1.15＜w3＜2.27、0.29＜x3＜1.67、0≤y3 ≤1.33。

9.根据权利要求7所述的光学传感器，其特征在于，该感光富硅介电层 的厚度大于该第二界面富硅介电层的厚度，该感光富硅介电层的厚度介于500 埃至4000埃，且该第二界面富硅介电层的厚度介于5埃至500埃。

10.一种制作光学传感器的方法，其特征在于，包括：

提供一第一电极；

于该第一电极上形成一第一界面富硅介电层；

于该第一界面富硅介电层上形成一感光富硅介电层；以及

于该感光富硅介电层上形成一第二电极；

该感光富硅介电层的组成表示式为SiH_w1O_x1N_y1且1.05＜w1＜1.41，0.39 ＜x1＜0.47、0≤y1≤1.33；

该第一界面富硅介电层的组成表示式为SiH_w2O_x2N_y2，且1.15＜w2＜2.27， 0.29＜x2＜1.67、0≤y2≤1.33。。

11.根据权利要求10所述的制作光学传感器的方法，其特征在于，形成 该第一界面富硅介电层的方法包括进行一等离子增强化学气相沉积工艺，并于 该等离子增强化学气相沉积工艺中通入硅烷与一氧化二氮。

12.根据权利要求11所述的制作光学传感器的方法，其特征在于，于该 等离子增强化学气相沉积工艺中通入的硅烷与一氧化二氮的气体流量比值为 1.8。