[发明专利]使用自升压对闪存器件编程的方法

权利要求书

1.一种使用增量步进脉冲编程ISPP对闪存器件编程的方法，所述 方法包括：

(a)将编程电压施加给选择的存储单元；

(b)将通过电压施加给未选择的存储单元；以及

(c)重复(a)和(b)，

其中，多个编程循环中的每个均包括(a)和(b)，

其中相对于在所述ISPP的多个编程循环中的在前编程循环期间 的在前通过电压而增加所述通过电压，其中所述通过电压被增加以 使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定 范围的差距。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述通过电压基于所述编程电 压的电平而增加。

3.根据权利要求2所述的方法，其中当所述编程电压的电平高于 19V时，将所述通过电压增加第一阶跃电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述通过电压基于所述选择的 存储单元的编程循环的数目而增加。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述编程循环执行了编程循 环的总数目的一半之后，将所述通过电压增加第一阶跃电压。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一阶跃电压为0.2到 1.0V。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一阶跃电压为0.2到1.0 伏。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述编程循环的数目为大约8。

9.一种使用增量步进脉冲编程ISPP对闪存器件编程的方法，所述 方法包括：

(a)通过将编程电压施加给选择的存储单元且将通过电压施加 给未选择的存储单元而对所述选择的存储单元编程；

(b)验证所述选择的存储单元；

(c)当所述编程没有通过时，确定所述编程电压是否高于第一 电压；以及

(d)通过分别将逐渐增加第一阶跃电压的所述编程电压施加给 所述选择的存储单元以及将相对于在所述ISPP的多个编程循环中 的在前编程循环期间的在前通过电压增加第二阶跃电压的所述通过 电压施加给所述未选择的存储单元而重复(a)和(b)，直到所述 编程通过为止

其中，多个编程循环中的每个均包括(a)和(b)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电压为大约19V。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二阶跃电压等于或低 于所述第一阶跃电压。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二阶跃电压为0.2到 1.0V。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

当所述编程电压不高于所述第一电压时，通过将逐渐增加所述第一 阶跃电压的所述编程电压施加给所述选择的存储单元以及将所述通过 电压施加给所述未选择的存储单元而重复对所述选择的存储单元进行 编程和验证。

14.一种使用增量步进脉冲编程ISPP对闪存器件编程的方法，所 述方法包括：

通过将编程电压施加给选择的存储单元且将通过电压施加给 未选择的存储单元而对所述选择的存储单元编程；

验证所述选择的存储单元；

确定编程循环的数目是否大于第一数目；以及

当所述编程循环的数目大于所述第一数目时，通过分别将逐渐 增加第一阶跃电压的所述编程电压施加给所述选择的存储单元以及 将增加第二阶跃电压的所述通过电压施加给所述未选择的存储单元 而重复对所述选择的存储单元进行编程和验证，直到所述编程通过 为止。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一数目为所述编程循 环的总数目的一半。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一数目为大约8。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二阶跃电压等于或低 于所述第一阶跃电压。