[发明专利]薄膜晶体管的结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的结构，包括：

一栅极，设置于一基板上；

一绝缘层，设置于该基板与该栅极上；

一半导体层，设置于部分的该绝缘层上，并且部分该半导体层被定义 为一沟道区；

一欧姆接触层，设置于该半导体层上；以及

一金属层，设置于该欧姆接触层上，并被区分为一源/漏极分别位于该 沟道区的两侧，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜 角的侧边，

其中部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边，且该第二斜 角的侧边相邻于该第一斜角的侧边，部分该半导体层的一侧具有一阶梯状 的侧边。

2.如权利要求1所述的结构，其中该第二斜角的角度范围是大于该第一 斜角的角度范围。

3.如权利要求1所述的结构，还包括一保护层，位于该基板和该金属层 上，其中于该源/漏极上的该保护层内具有多个接触窗。

4.如权利要求3所述的结构，还包括一导电层，位于该保护层上，其中 该导电层通过该些接触窗电性连接于该源/漏极。

5.如权利要求1所述的结构，其中该栅极与该金属层选自钼、铝、铜、 铬、钛、银以及其任意组合所形成的合金或多层金属层所组成的群组。