[发明专利]新型SRAM单元阵列结构

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列结构，包括：

耦合到SRAM单元的一个列的第一和第二导线，所述第一和第二导线 彼此平行并且通过第一金属层形成；以及

置于所述第一和第二导线之间的第三导线，其跨越所述SRAM单元的 列并且不与该列电连接，所述第三导线也通过第一金属层形成，

其中所述第三导线上的电压在写操作期间从高压(V_CC)摆动到低压 (V_SS)。

2.根据权利要求1所述SRAM单元阵列结构，其中所述第一和第二 导线为用于所述SRAM单元的位线。

3.根据权利要求2所述SRAM单元阵列结构，其中在写操作期间， 所述位线之一上的电压从高压(V_CC)摆动到低压(V_SS)，同时另一位线 上的电压维持在V_CC。

4.根据权利要求1所述SRAM单元阵列结构，其中所述第三导线上 的电压跟随位线的电压摆动而摆动。

5.根据权利要求1所述SRAM单元阵列结构，其中所述第三导线平 行于所述第一和第二导线。

6.根据权利要求1所述SRAM单元阵列结构，其中所述SRAM单元 具有6个或更多个晶体管。

7.根据权利要求1所述SRAM单元阵列结构，还包括：置于所述第 一和第三导线之间的第四导线，其跨越所述SRAM单元的列，并且不与该 列电连接，所述第四导线通过所述第一金属层形成。

8.根据权利要求7所述SRAM单元阵列结构，其中在写操作期间， 所述第四导线上的电压维持高压(V_CC)，同时所述第三导线从V_CC摆动到 低压V_SS。

9.一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列结构，所述SRAM单 元具有6个或更多个晶体管，所述SRAM单元阵列结构包括：

耦合到SRAM单元的列的第一和第二位线，所述第一和第二位线彼此 平行并且通过第一金属层形成，其中在写操作期间，位线之一上的电压从 高压(V_CC)摆动到低压(V_SS)，同时另一位线上的电压维持V_CC；以及

置于所述第一和第二位线之间的第一导线，其跨越所述SRAM单元的 列并且不与该列电连接，所述第一导线也通过所述第一金属层形成，

其中，所述第一导线上的电压跟随位线上的电压的摆动从V_CC摆动到 V_SS。

10.根据权利要求9所述SRAM单元阵列结构，其中所述第一导线平 行于所述位线。

11.根据权利要求9所述SRAM单元阵列结构，还包括：置于所述导 线和所述位线之一之间的第二导线，其跨越所述SRAM单元的列并且不与 该列电连接，所述第二导线通过第一金属层形成。

12.根据权利要求11所述SRAM单元阵列结构，其中在写操作期间， 所述第二导线上的电压维持高压(V_CC)，同时所述第一导线从V_CC摆动到 低压(V_SS)。