[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910134026.4 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101853829A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 江明崇;郑璨耀;林立成;蔡泓祥 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
一衬底，其上配置有一电路结构；
一第一绝缘层，配置于所述衬底上且具有一暴露所述电路结构的第一开口：
一复合焊垫结构，包括依序堆叠的一第一导体层、一阻挡层以及一第二导体层，所述复合焊垫结构配置于所述第一绝缘层上且填满所述第一开口以电连接所述电路结构；
一保护层，覆盖所述复合焊垫结构且具有一暴露所述复合焊垫结构的第二开口；以及
一凸块，填满所述第二开口且电连接所述复合焊垫结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导体层与所述第二导体层的材料相同。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导体层与所述第二导体层的材料包括铝硅合金、铝铜合金或铝硅铜合金。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凸块的材料包括金。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括钛/氮化钛、氮化钨、钛钨合金、氮化钌、氮化铱、氮化锆、氮化铪或氮化钽。
6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，所述衬底上已形成有一电路结构；
于所述衬底上形成一具有一第一开口的第一绝缘层，所述第一开口暴露所述电路结构；
于所述第一绝缘层上形成一复合焊垫结构，所述复合焊垫结构包括依序堆叠的一第一导体层、一阻挡层以及一第二导体层，且所述复合焊垫结构填满所述第一开口以电连接所述电路结构；
于所述复合焊垫结构上形成一保护层，所述保护层具有一暴露所述复合焊垫结构的第二开口；以及
于所述保护层上形成一凸块，所述凸块填满所述第二开口且电连接所述复合焊垫结构。
7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一导体层与所述第二导体层的材料相同。
8.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一导体层与所述第二导体层的材料包括铝硅合金、铝铜合金或铝硅铜合金。
9.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述凸块的材料包括金。
10.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括钛/氮化钛、氮化钨、钛钨合金、氮化钌、氮化铱、氮化锆、氮化铪或氮化钽。
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